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• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35
  
  型号：1N821A, SEL. 1% VBR
  仓库库存编号：1N821A, SEL. 1% VBR-ND
  别名：Q8814842
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 托盘 ,
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• EPC
  TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2031ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2031ENGR-ND
  别名：917-EPC2031ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 托盘 ,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2032ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2032ENGR-ND
  别名：917-EPC2032ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 托盘 ,
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• EPC
  TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2033ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2033ENGR-ND
  别名：917-EPC2033ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 托盘 ,
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• EPC
  TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2034ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2034ENGR-ND
  别名：917-EPC2034ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 托盘 ,
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• EPC
  TRANS GAN 25V BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15V 3.4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2040ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2040ENGR-ND
  别名：917-EPC2040ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 托盘 ,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 1000V 25A GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC2510
  仓库库存编号：1034-GBPC2510DI-ND
  别名：1034-GBPC2510DI
  
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• Ampleon USA Inc.
  TRANS RF 170W LDMOS DFM6F
  详细描述：RF Mosfet DFM6
  
  型号：BLC9G24LS-170AVZ
  仓库库存编号：BLC9G24LS-170AVZ-ND
  别名：934068891517
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
  
  型号：RJM0603JSC-00#12
  仓库库存编号：RJM0603JSC-00#12-ND
  
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 20A 100V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 20A 4MHz Surface Mount Die
  
  型号：CP647-2N6287-CM
  仓库库存编号：CP647-2N6287-CM-ND
  
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 20A 100V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 20A 4MHz Surface Mount Die
  
  型号：CP647-2N6287-CT
  仓库库存编号：CP647-2N6287-CT-ND
  
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 90V 30A Surface Mount Die
  
  型号：CP647-MJ11013-CT
  仓库库存编号：CP647-MJ11013-CT-ND
  
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
  
  型号：CP647-MJ11015-CT
  仓库库存编号：CP647-MJ11015-CT-ND
  
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
  
  型号：CP647-MJ11015-WR
  仓库库存编号：CP647-MJ11015-WR-ND
  
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS PNP DARL 30A 100V DIE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 30A 4MHz Surface Mount Die
  
  型号：CP647-PMD19K100-CT
  仓库库存编号：CP647-PMD19K100-CT-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 400V 86A（Tc） 690W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT40M42JN
  仓库库存编号：APT40M42JN-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 400V 56A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT40M75JN
  仓库库存编号：APT40M75JN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 托盘 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 43A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT5012JN
  仓库库存编号：APT5012JN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 托盘 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 40A（Tc） 690W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8018JN
  仓库库存编号：APT8018JN-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole KBPM
  
  型号：2KBP01M-10E4/51
  仓库库存编号：2KBP01M-10E4/51-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole KBPM
  
  型号：2KBP04ML-6212E4/51
  仓库库存编号：2KBP04ML-6212E4/51-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole KBPM
  
  型号：2KBP04ML-6422E4/51
  仓库库存编号：2KBP04ML-6422E4/51-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole KBPM
  
  型号：2KBP06ML-36E4/51
  仓库库存编号：2KBP06ML-36E4/51-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole KBPM
  
  型号：2KBP06ML-5303E4/51
  仓库库存编号：2KBP06ML-5303E4/51-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 托盘 ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole KBPM
  
  型号：2KBP06ML-6145E4/51
  仓库库存编号：2KBP06ML-6145E4/51-ND
  
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