产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4943CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4943CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4943CDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 137W(Tc) D2PAK
型号:
BUK965R4-40E,118
仓库库存编号:
1727-7262-1-ND
别名:1727-7262-1
568-9891-1
568-9891-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ916DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ916DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ916DT-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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STMicroelectronics
SCR 12A 800V D2PAK
详细描述:SCR 800V 12A Standard Recovery Surface Mount D2PAK
型号:
TN1215-800G-TR
仓库库存编号:
497-14750-1-ND
别名:497-14750-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ900DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ900DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ900DT-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 45V 7A DO204AL
详细描述:肖特基 通孔 二极管 7A DO-204AL(DO-41)
型号:
SB15H45-E3/73
仓库库存编号:
SB15H45-E3/73GICT-ND
别名:SB15H45-E3/73GICT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Ta) 107W(Tc) DPAK+
型号:
TK65S04N1L,LQ
仓库库存编号:
TK65S04N1LLQCT-ND
别名:TK65S04N1LLQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 20A D2PAK
型号:
FFB20UP20STM
仓库库存编号:
FFB20UP20STMCT-ND
别名:FFB20UP20STMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),171A(Tc) 950mW(Ta),96.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4897NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4897NFT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4897NFT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB240L
仓库库存编号:
785-1324-1-ND
别名:785-1324-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO236AB
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 10A TO-263AB
型号:
MBRB10H100-E3/81
仓库库存编号:
MBRB10H100-E3/81GICT-ND
别名:MBRB10H100-E3/81GICT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD068N10N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE SCHOTTKY 30V 30A POWERFLAT
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 30A PowerFlat?(5x6)
型号:
STPS30L30DJF-TR
仓库库存编号:
497-12867-1-ND
别名:497-12867-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87333Q3DT
仓库库存编号:
296-37794-1-ND
别名:296-37794-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N06L3 G
仓库库存编号:
IPD031N06L3 GCT-ND
别名:IPD031N06L3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614TRPBF
仓库库存编号:
IRF6614TRPBFCT-ND
别名:IRF6614TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta) 78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2900ENH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2900ENHL1QCT-ND
别名:TPH2900ENHL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 25A 6W Surface Mount 5-PTAB (5x3.5)
型号:
CSD87588NT
仓库库存编号:
296-37753-1-ND
别名:296-37753-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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STMicroelectronics
TRIAC SENS GATE 800V 16A D2PAK
详细描述:TRIAC Logic - Sensitive Gate 800V 16A Surface Mount D2PAK
型号:
T1610-800G-TR
仓库库存编号:
497-10007-1-ND
别名:497-10007-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB130N6F7
仓库库存编号:
497-15895-1-ND
别名:497-15895-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 100W(Tc) DPAK+
型号:
TK100S04N1L,LQ
仓库库存编号:
TK100S04N1LLQCT-ND
别名:TK100S04N1LLQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7434DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7434DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7434DP-T1-E3CT
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
别名:IPB180P04P4L02ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R190P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R190P6ATMA1CT-ND
别名:IPB60R190P6ATMA1CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 136W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ480E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ480E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ480E-T1_GE3CT
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