产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 102W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R130C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R130C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R130C7AUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 375A
详细描述:表面贴装 N 沟道 375A(Tc) 3.8W(Ta), 341W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRL7472L1TRPBF
仓库库存编号:
IRL7472L1TRPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB027N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB027N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPB027N10N3 GCT
IPB027N10N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO252-2
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 5A(DC) PG-TO252-2
型号:
IDM05G120C5XTMA1
仓库库存编号:
IDM05G120C5XTMA1CT-ND
别名:IDM05G120C5XTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF1324STRL-7PP
仓库库存编号:
IRF1324STRL-7PPCT-ND
别名:IRF1324STRL-7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 25A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R125CP
仓库库存编号:
IPB60R125CPCT-ND
别名:IPB60R125CPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 141W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R102G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R102G7XTMA1CT-ND
别名:IPT60R102G7XTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),345A(Tc) 3.8W(Ta), 341W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
AUIRF7749L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7749L2CT-ND
别名:AUIRF7749L2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Tc) 300W(Tc) TO-263-3
型号:
IPB117N20NFDATMA1
仓库库存编号:
IPB117N20NFDATMA1CT-ND
别名:IPB117N20NFDATMA1-ND
IPB117N20NFDATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N25N3 G
仓库库存编号:
IPB200N25N3 GCT-ND
别名:IPB200N25N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 278W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R099C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R099C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R099C6ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 155A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT059N15N3ATMA1
仓库库存编号:
IPT059N15N3ATMA1CT-ND
别名:IPT059N15N3ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 375W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT012N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPT012N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPT012N08N5ATMA1CT
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 8A(DC) PG-TO252-2
型号:
IDM08G120C5XTMA1
仓库库存编号:
IDM08G120C5XTMA1CT-ND
别名:IDM08G120C5XTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 478A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRL40SC209
仓库库存编号:
IRL40SC209CT-ND
别名:IRL40SC209CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Analog Devices Inc.
TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 40V 20mA 200MHz Surface Mount 8-SOIC
型号:
SSM2212RZ-R7
仓库库存编号:
SSM2212RZ-R7CT-ND
别名:SSM2212RZ-R7CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 169W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R070C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R070C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R070C7AUMA1CT
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Infineon Technologies
DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 38A(DC) PG-TO252-2
型号:
IDM10G120C5XTMA1
仓库库存编号:
IDM10G120C5XTMA1CT-ND
别名:IDM10G120C5XTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Analog Devices Inc.
TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) Matched Pairs 40V 30mA 300MHz Surface Mount 14-SO
型号:
MAT14ARZ-R7
仓库库存编号:
MAT14ARZ-R7CT-ND
别名:MAT14ARZ-R7CT
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Infineon Technologies
RFP-LD10M
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 120mA 2.17GHz 20.5dB 2.4W PG-SON-10
型号:
PTFC270101MV1R1KXUMA1
仓库库存编号:
PTFC270101MV1R1KXUMA1CT-ND
别名:PTFC270101MV1R1KXUMA1CT
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NXP USA Inc.
FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP
详细描述:RF Mosfet LDMOS 12.5V 500mA 175MHz 14.5dB 50W TO-272-6
型号:
MRF1550NT1
仓库库存编号:
MRF1550NT1CT-ND
别名:MRF1550NT1CT
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NXP USA Inc.
IC TRANS RF LDMOS
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 750mA 2.3GHz 14.9dB 66W NI-1230-4LS2L
型号:
A2T23H300-24SR6
仓库库存编号:
A2T23H300-24SR6CT-ND
别名:A2T23H300-24SR6CT
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230-4H
型号:
MMRF1306HR5
仓库库存编号:
MMRF1306HR5CT-ND
别名:MMRF1306HR5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS 50V 150mA 450MHz 20dB 1000W NI-1230-4H
型号:
MMRF1006HR5
仓库库存编号:
MMRF1006HR5CT-ND
别名:MMRF1006HR5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 205mA(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89-3
型号:
ZVP4525ZTA
仓库库存编号:
ZVP4525ZCT-ND
别名:ZVP4525ZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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