产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD26N06S2L35ATMA2
仓库库存编号:
IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
别名:IPD26N06S2L35ATMA2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PBSS4140DPN/SC-74/REEL 13" Q1/
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array Surface Mount SOT-457
型号:
PBSS4140DPNF
仓库库存编号:
1727-2759-1-ND
别名:1727-2759-1
568-13326-1
568-13326-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7526D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7526D1TRPBFCT-ND
别名:IRF7526D1TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 69W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R650CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 490mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB30XN,115
仓库库存编号:
1727-1328-1-ND
别名:1727-1328-1
568-10756-1
568-10756-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),26W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ060NE2LS
仓库库存编号:
BSZ060NE2LSCT-ND
别名:BSZ060NE2LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9388TRPBF
仓库库存编号:
IRF9388TRPBFCT-ND
别名:IRF9388TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP322PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP322PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP322PH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 95W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y38-100EX
仓库库存编号:
1727-1111-1-ND
别名:1727-1111-1
568-10266-1
568-10266-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP125H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP125H6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Nexperia USA Inc.
TRANS PNP 250V 0.1A SOT223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 100mA 60MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
型号:
BF723,115
仓库库存编号:
1727-5414-1-ND
别名:1727-5414-1
568-6859-1
568-6859-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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WeEn Semiconductors
TRANS NPN 425V 4A DPAK
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 425V 4A 80W Surface Mount DPAK
型号:
BUJD203AD,118
仓库库存编号:
1740-1424-1-ND
别名:1740-1424-1
568-8381-1
568-8381-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R950CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R950CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R950CEAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD50N04S408ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S408ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S408ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 91W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R0-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1796-1-ND
别名:1727-1796-1
568-11379-1
568-11379-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 85W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y10-30B,115
仓库库存编号:
1727-4602-1-ND
别名:1727-4602-1
568-5512-1
568-5512-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4315TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4315TRPBFCT-ND
别名:IRFL4315TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8736TRPBF
仓库库存编号:
IRF8736TRPBFCT-ND
别名:IRF8736TRPBFCT
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 75W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y11-30B,115
仓库库存编号:
1727-4939-1-ND
别名:1727-4939-1
568-6233-1
568-6233-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 52A(Tc) 65W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y12-40E,115
仓库库存编号:
1727-1122-1-ND
别名:1727-1122-1
568-10277-1
568-10277-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
TRANS RF BIPO NPN 30MA TSLP-3-9
详细描述:RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号:
BFR 740L3RH E6327
仓库库存编号:
BFR740L3RHE6327INCT-ND
别名:BFR740L3RHE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 23W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R1K4P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R1K4P7SAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD350N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD350N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD350N06LGBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD78CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD78CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD78CN10NGATMA1CT
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