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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 800V 4A Surface Mount D-Pak
  
  型号：T405-800B-TR
  仓库库存编号：497-4434-1-ND
  别名：497-4434-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Diodes Incorporated
  DIODE GEN PURP 150V 3A SMC
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 3A SMC
  
  型号：ES3C-13-F
  仓库库存编号：ES3C-FDICT-ND
  别名：ES3C-FDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Diodes Incorporated
  DIODE ARRAY SBR 100V 6A TO252
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  
  型号：SBR6100CTLQ-13
  仓库库存编号：SBR6100CTLQ-13DICT-ND
  别名：SBR6100CTLQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 119W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR825TRPBF
  仓库库存编号：IRFR825TRPBFCT-ND
  别名：IRFR825TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB065N03L G
  仓库库存编号：IPB065N03LGINCT-ND
  别名：IPB065N03LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC084P03NS3 G
  仓库库存编号：BSC084P03NS3 GCT-ND
  别名：BSC084P03NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP2120G4TA
  仓库库存编号：ZXMP2120G4CT-ND
  别名：ZXMP2120G4CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN4R203NC,L1Q
  仓库库存编号：TPN4R203NCL1QCT-ND
  别名：TPN4R203NCL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ035N03MS G
  仓库库存编号：BSZ035N03MSGINCT-ND
  别名：BSZ035N03MSGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E130MNTB1
  仓库库存编号：RQ3E130MNTB1CT-ND
  别名：RQ3E130MNTB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E100MNTB1
  仓库库存编号：RQ3E100MNTB1CT-ND
  别名：RQ3E100MNTB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS NPN 25V SOT89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 65MHz 1.2W Surface Mount SOT-89
  
  型号：CBCX68 TR
  仓库库存编号：CBCX68 CT-ND
  别名：CBCX68 CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V S308
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ0901NS
  仓库库存编号：BSZ0901NSCT-ND
  别名：BSZ0901NSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 10A 83W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD5H60DF
  仓库库存编号：497-16479-1-ND
  别名：497-16479-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC252N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC252N10NSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC252N10NSF GCT
  BSC252N10NSF GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 1.56W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO130P03S H
  仓库库存编号：BSO130P03S HCT-ND
  别名：BSO130P03S HCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN2R703NL,L1Q
  仓库库存编号：TPN2R703NLL1QCT-ND
  别名：TPN2R703NL,L1QCT
  TPN2R703NL,L1QCT-ND
  TPN2R703NLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 600V 3.2A TO263AC
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 3.2A TO-263AC（SMPD）
  
  型号：SE12DJHM3/I
  仓库库存编号：SE12DJHM3/IGICT-ND
  别名：SE12DJHM3/IGICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），70A（Tc） 2.8W（Ta），28W（Tc） 8-HSO
  
  型号：SK8603160L
  仓库库存编号：P16268CT-ND
  别名：P16268CT
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 600V 3.9A TO263AC
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 3.9A TO-263AC（SMPD）
  
  型号：SE20DJ-M3/I
  仓库库存编号：SE20DJ-M3/IGICT-ND
  别名：SE20DJ-M3/IGICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 98W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR7446TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7446TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7446TRPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGATMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10NGATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
  
  型号：AUIRF7640S2TR
  仓库库存编号：AUIRF7640S2CT-ND
  别名：AUIRF7640S2CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），104A（Tc） 3.4W（Ta） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH7932TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7932TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7932TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9120TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR9120TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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