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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 283W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB40V60F
  仓库库存编号：497-14978-1-ND
  别名：497-14978-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7868ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7868ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7868ADP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3006TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3006TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3006TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），16A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL24NM60N
  仓库库存编号：497-11206-1-ND
  别名：497-11206-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• IXYS
  DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 30A TO-263（D2Pak）
  
  型号：DNA30E2200PZ
  仓库库存编号：DNA30E2200PZCT-ND
  别名：DNA30E2200PZ-ND
  DNA30E2200PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 600V 35A TO263
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 35A Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  
  型号：Q6035NH5RP
  仓库库存编号：Q6035NH5RPCT-ND
  别名：Q6035NH5RPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N10S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N10S402ATMA1CT-ND
  别名：IPB180N10S402ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 870MHz 15.2dB 7.3W PLD-1.5W-2
  
  型号：AFT09MS007NT1
  仓库库存编号：AFT09MS007NT1CT-ND
  别名：AFT09MS007NT1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190A（Tc） 380W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4010TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS4010TRL7PPCT-ND
  别名：IRFS4010TRL7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60TM
  仓库库存编号：FCB20N60TMCT-ND
  别名：FCB20N60TM_NLCT
  FCB20N60TM_NLCT-ND
  FCB20N60TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH245N75F3-6
  仓库库存编号：497-15470-1-ND
  别名：497-15470-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN MRI MELF
  详细描述：RF Diode PIN - Single 150V 10W
  
  型号：MA4P7452F-1072T
  仓库库存编号：1465-1243-1-ND
  别名：1465-1243-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA4N100Q-TRL
  仓库库存编号：IXFA4N100Q-TRLCT-ND
  别名：IXFA4N100Q-TRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL38N65M5
  仓库库存编号：497-13878-1-ND
  别名：497-13878-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 70mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W-2
  
  型号：AFT27S006NT1
  仓库库存编号：AFT27S006NT1CT-ND
  别名：AFT27S006NT1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 150mA 520MHz 14dB 8W PLD-1.5
  
  型号：MRF1517NT1
  仓库库存编号：MRF1517NT1CT-ND
  别名：MRF1517NT1CT
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 50mA 1.96GHz 18dB 4W PLD-1.5
  
  型号：MMRF1014NT1
  仓库库存编号：MMRF1014NT1CT-ND
  别名：MMRF1014NT1CT
  
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN MRI MELF
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 30W
  
  型号：MA4P7441F-1091T
  仓库库存编号：1465-1241-1-ND
  别名：1465-1241-1
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 520W（Tc）
  
  型号：SIHG73N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG73N60E-GE3-ND
  别名：SIHG73N60E-GE3CT
  SIHG73N60E-GE3CT-ND
  SIHG73N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 40V 520MHZ TO272-6 WRAP
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 12.5V 500mA 520MHz 13.5dB 35W TO-272-6
  
  型号：MRF1535NT1
  仓库库存编号：MRF1535NT1CT-ND
  别名：MRF1535NT1CT
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 133V 512MHZ TO270-2
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 10mA 512MHz 25.4dB 25W TO-270-2
  
  型号：MRFE6VS25NR1
  仓库库存编号：MRFE6VS25NR1CT-ND
  别名：MRFE6VS25NR1CT
  
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• Ampleon USA Inc.
  RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 1.62A 1.81GHz ~ 1.88GHz 18dB 55W SOT502B
  
  型号：BLF7G20LS-200,118
  仓库库存编号：568-8669-1-ND
  别名：568-8669-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• NXP USA Inc.
  FET RF 100V 1.03GHZ NI-780
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.03GHz 20.3dB 275W NI-780
  
  型号：MRF6V12250HR5
  仓库库存编号：MRF6V12250HR5CT-ND
  别名：MRF6V12250HR5CT
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ZENER 13V 500MW DO35
  详细描述：Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
  
  型号：1N5243B-TR
  仓库库存编号：1N5243BGICT-ND
  别名：1N5243BGICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Rohm Semiconductor
  TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
  
  型号：DTC043TEBTL
  仓库库存编号：DTC043TEBTLCT-ND
  别名：DTC043TEBTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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