产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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EPC
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2023ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2023ENGRCT-ND
别名:917-EPC2023ENGRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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EPC
MOSFET NCH 40V 60A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2024
仓库库存编号:
917-1106-1-ND
别名:917-1106-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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EPC
TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Ta) 模具
型号:
EPC2020
仓库库存编号:
917-1105-1-ND
别名:917-1105-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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M/A-Com Technology Solutions
NON MAGNETIC AXIAL LEAD CERAMIC
详细描述:RF Diode PIN - Single 100V 1.5W Axial
型号:
MA4P1200NM-401T
仓库库存编号:
1465-1223-1-ND
别名:1465-1223-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5
详细描述:RF Mosfet LDMOS 12.5V 150mA 520MHz 13dB 8W PLD-1.5
型号:
MRF1518NT1
仓库库存编号:
MRF1518NT1CT-ND
别名:MRF1518NT1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
库存产品核实请求
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R045C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R045C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R045C7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 125mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2
型号:
MW6S010NR1
仓库库存编号:
MW6S010NR1CT-ND
别名:MW6S010NR1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 110mA 2.14GHz 17dB 2W 16-HVSON (4x6)
型号:
BLP27M810Z
仓库库存编号:
1603-1032-1-ND
别名:1603-1032-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 66V 880MHZ TO270-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 450mA 880MHz 21.1dB 14W TO-270-2
型号:
MRFE6S9060NR1
仓库库存编号:
MRFE6S9060NR1CT-ND
别名:MRFE6S9060NR1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 133V 512MHZ NI360L
详细描述:RF Mosfet LDMOS 50V 10mA 512MHz 25.9dB 25W NI-360
型号:
MRFE6VS25LR5
仓库库存编号:
MRFE6VS25LR5CT-ND
别名:MRFE6VS25LR5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4
型号:
MRFE6VP6300HR5
仓库库存编号:
MRFE6VP6300HR5CT-ND
别名:MRFE6VP6300HR5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 920MHz ~ 960MHz 19.5dB 60W SOT502B
型号:
BLF7G10LS-250,118
仓库库存编号:
568-8668-1-ND
别名:568-8668-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 300mA 1.81GHz ~ 1.88GHz 15.7dB 360W DFM6
型号:
BLC9G20LS-361AVTY
仓库库存编号:
1603-1027-1-ND
别名:1603-1027-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 3.4A 718.5MHz ~ 725.5MHz 20.6dB 95W CDFM8
型号:
BLF8G09LS-400PWJ
仓库库存编号:
568-12776-1-ND
别名:568-12776-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 800mA 1.81GHz ~ 1.88GHz 15.5dB 85W DFM6
型号:
BLC8G20LS-400AVY
仓库库存编号:
568-12761-1-ND
别名:568-12761-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 1.4A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230
型号:
MRFE6VP8600HR5
仓库库存编号:
MRFE6VP8600HR5CT-ND
别名:MRFE6VP8600HR5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230
型号:
MRFE6VP5600HR5
仓库库存编号:
MRFE6VP5600HR5CT-ND
别名:MRFE6VP5600HR5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 1.4A 860MHz 22.5dB 90W NI-1230
型号:
MRF6VP3450HR5
仓库库存编号:
MRF6VP3450HR5CT-ND
别名:MRF6VP3450HR5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230
型号:
MRFE6VP61K25HR5
仓库库存编号:
MRFE6VP61K25HR5CT-ND
别名:MRFE6VP61K25HR5CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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NXP USA Inc.
HIGH POWER RF TRANSISTOR
详细描述:RF Mosfet LDMOS 1.8MHz ~ 500MHz 22.5dB 1500W NI-1230-4H
型号:
MRF1K50HR5
仓库库存编号:
568-13350-1-ND
别名:568-13350-1
MRF1K50HR5CT
MRF1K50HR5CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
含铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMUN2132LT1G
仓库库存编号:
MMUN2132LT1GOSCT-ND
别名:MMUN2132LT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMUN2116LT1G
仓库库存编号:
MMUN2116LT1GOSCT-ND
别名:MMUN2116LT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 0.4W SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 400mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMUN2216LT1G
仓库库存编号:
MMUN2216LT1GOSCT-ND
别名:MMUN2216LT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMUN2231LT1G
仓库库存编号:
MMUN2231LT1GOSCT-ND
别名:MMUN2231LT1GOSCT
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ON Semiconductor
DIODE ZENER 43V 225MW SOT23-3
详细描述:Zener Diode 225mW ±7% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
BZX84C43LT1G
仓库库存编号:
BZX84C43LT1GOSCT-ND
别名:BZX84C43LT1GOSCT
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