产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 300V 40A TO263
详细描述:标准 表面贴装 二极管 40A TO-263(D2Pak)
型号:
DSEP40-03AS
仓库库存编号:
DSEP40-03ASCT-ND
别名:DSEP40-03ASCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 800V 30A TO263
详细描述:标准 表面贴装 二极管 30A TO-263(D2Pak)
型号:
DSI30-08AS
仓库库存编号:
DSI30-08ASCT-ND
别名:DSI30-08AS-ND
DSI30-08ASCT
DSI3008AS
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),40A(Tc) 3W(Ta),60W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC2514SDC
仓库库存编号:
FDMC2514SDCCT-ND
别名:FDMC2514SDCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4620TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4620TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4620TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 960mW(Ta), 170W(Tc) 8-DSOP Advance
型号:
TPW1R005PL,L1Q
仓库库存编号:
TPW1R005PLL1QCT-ND
别名:TPW1R005PLL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB042N10N3 G
仓库库存编号:
IPB042N10N3 GCT-ND
别名:IPB042N10N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7434DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7434DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7434DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD320N20N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD320N20N3GATMA1CT-ND
别名:IPD320N20N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL40N75LF3
仓库库存编号:
497-13535-1-ND
别名:497-13535-1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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NXP USA Inc.
FET RF 30V 520MHZ PLD
详细描述:RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 520MHz 20.9dB 4.9W SOT-89-3
型号:
AFT05MS004NT1
仓库库存编号:
AFT05MS004NT1CT-ND
别名:AFT05MS004NT1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR866DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR866DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR866DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF4905STRLPBF
仓库库存编号:
IRF4905STRLPBFCT-ND
别名:IRF4905STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC320N20NS3 G
仓库库存编号:
BSC320N20NS3 GCT-ND
别名:BSC320N20NS3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRLPBF
仓库库存编号:
IRF5210STRLPBFCT-ND
别名:IRF5210STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9610-100B,118
仓库库存编号:
1727-5261-1-ND
别名:1727-5261-1
568-6586-1
568-6586-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Sanken
DIODE ZENER 27V 6W SZ10
详细描述:Zener Diode 6W Surface Mount SZ-10
型号:
SZ-10NN27VL
仓库库存编号:
SZ-10NN27VLCT-ND
别名:SZ-10NN27VLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
不受无铅要求限制
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Sanken
DIODE ZENER 38V 6W SZ10
详细描述:Zener Diode 6W ±5% Surface Mount SZ-10
型号:
SZ-10NN40VL
仓库库存编号:
SZ-10NN40VLCT-ND
别名:SZ-10NN40VLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8 FL
型号:
BSC010N04LSIATMA1
仓库库存编号:
BSC010N04LSIATMA1CT-ND
别名:BSC010N04LSIATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N15N3 G
仓库库存编号:
IPB200N15N3 GCT-ND
别名:IPB200N15N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tj) 296W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN7R6-100BSEJ
仓库库存编号:
1727-1104-1-ND
别名:1727-1104-1
568-10259-1
568-10259-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC600N25NS3 G
仓库库存编号:
BSC600N25NS3 GCT-ND
别名:BSC600N25NS3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD50P06-15L_GE3
仓库库存编号:
SQD50P06-15L_GE3CT-ND
别名:SQD50P06-15L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N08S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND
别名:IPB80N08S2L-07CT
IPB80N08S2L-07CT-ND
IPB80N08S2L07ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 92.6W(Tc) D-Pak
型号:
FCD9N60NTM
仓库库存编号:
FCD9N60NTMCT-ND
别名:FCD9N60NTMCT
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