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• EPC
  TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 模具剖面（5 焊条）
  
  型号：EPC2014
  仓库库存编号：917-1018-1-ND
  别名：917-1018-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16325Q5C
  仓库库存编号：296-25645-1-ND
  别名：296-25645-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB22P10TM
  仓库库存编号：FQB22P10TMCT-ND
  别名：FQB22P10TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），27A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2572
  仓库库存编号：FDMS2572CT-ND
  别名：FDMS2572CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N95K3
  仓库库存编号：497-10412-1-ND
  别名：497-10412-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4P40TM
  仓库库存编号：FQD4P40TMCT-ND
  别名：FQD4P40TM-ND
  FQD4P40TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Microsemi Corporation
  DIODE SCHOTTKY 100V 8A DO214AB
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 8A DO-214AB
  
  型号：HSM8100JE3/TR13
  仓库库存编号：HSM8100JE3/TR13CT-ND
  别名：HSM8100JE3/TR13CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R385CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R385CPATMA1CT-ND
  别名：IPD60R385CPATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44ZSTRRPBF
  仓库库存编号：IRFZ44ZSTRRPBFCT-ND
  别名：IRFZ44ZSTRRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC060N10NS3 GCT
  BSC060N10NS3 GCT-ND
  BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC040N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD12N50M2
  仓库库存编号：497-15307-1-ND
  别名：497-15307-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD35N10-26P-GE3
  仓库库存编号：SUD35N10-26P-GE3CT-ND
  别名：SUD35N10-26P-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD17312Q5
  仓库库存编号：296-27613-1-ND
  别名：296-27613-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA00DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA00DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 22A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS7600AS
  仓库库存编号：FDMS7600ASCT-ND
  别名：FDMS7600ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4866DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4866DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4866DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11NK40ZT4
  仓库库存编号：497-7930-1-ND
  别名：497-7930-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC047N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC047N08NS3 GCT
  BSC047N08NS3 GCT-ND
  BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL
  
  型号：BSC010N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC010N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSC010N04LSATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3GATMA1CT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC028N06LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC028N06LS3 GCT
  BSC028N06LS3 GCT-ND
  BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.4A（Ta），98A（Tc） 139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC077N12NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC077N12NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC077N12NS3 GCT
  BSC077N12NS3 GCT-ND
  BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC082N10LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC082N10LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC082N10LS GCT
  BSC082N10LS GCT-ND
  BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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