产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
TRANS PNP 80V 1A SOT-89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 125MHz 2W Surface Mount PG-SOT89
型号：
BCX5316E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCX5316E6327HTSA1CT-ND
别名：BCX 53-16 E6327CT
BCX 53-16 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 80V 1A SOT-89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT89
型号：
BCX56E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCX56E6327HTSA1CT-ND
别名：BCX 56 E6327CT
BCX 56 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 80V 1A SOT-89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount PG-SOT89
型号：
BCX5616E6327HTSA1
仓库库存编号：
BCX5616E6327HTSA1CT-ND
别名：BCX 56-16 E6327CT
BCX 56-16 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 45V 3A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 3A 100MHz 5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BDP948E6327HTSA1
仓库库存编号：
BDP948E6327HTSA1CT-ND
别名：BDP 948 E6327CT
BDP 948 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS PNP 60V 3A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 100MHz 5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BDP950E6327HTSA1
仓库库存编号：
BDP950E6327HTSA1CT-ND
别名：BDP 950 E6327CT
BDP 950 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 100V 3A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 100MHz 5W Surface Mount PG-SOT223-4
型号：
BDP953E6327HTSA1
仓库库存编号：
BDP953E6327HTSA1CT-ND
别名：BDP 953 E6327CT
BDP 953 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-23
详细描述：RF Transistor NPN 20V 35mA 800MHz 280mW Surface Mount PG-SOT23-3
型号：
BF799E6327HTSA1
仓库库存编号：
BF799E6327HTSA1CT-ND
别名：BF 799 E6327CT
BF 799 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS NPN 300V 0.2A SOT-89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 200mA 70MHz 1W Surface Mount PG-SOT89
型号：
BFN18E6327HTSA1
仓库库存编号：
BFN18E6327HTSA1CT-ND
别名：BFN 18 E6327CT
BFN 18 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5.6A PG-TO252-3
型号：
IDD04S60C
仓库库存编号：
IDD04S60CBUMA1CT-ND
别名：IDD04S60CCT
IDD04S60CCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD035N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPD035N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPD035N06L3 GCT
IPD035N06L3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N08N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD053N08N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD053N08N3 GCT
IPD053N08N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
别名：IPD25CN10N GCT
IPD25CN10N GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2L-13
仓库库存编号：
IPD30N06S2L-13CT-ND
别名：IPD30N06S2L-13CT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2L23ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S2L23ATMA1CT-ND
别名：IPD30N06S2L-23CT
IPD30N06S2L-23CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD07N20GBTMA1
仓库库存编号：
SPD07N20GBTMA1CT-ND
别名：SPD07N20 GCT
SPD07N20 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23
详细描述：RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 100V 140mA 250mW PG-SOT23-3
型号：
BAR161E6327HTSA1
仓库库存编号：
BAR161E6327HTSA1CT-ND
别名：BAR 16-1 E6327CT
BAR 16-1 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
DIODE PIN SGL 80V 100MA TSSLP-2
详细描述：RF Diode PIN - Single 80V 100mA 150mW PG-TSSLP-2
型号：
BAR9002LSE6327XTSA1
仓库库存编号：
BAR9002LSE6327XTSA1CT-ND
别名：BAR 90-02LS E6327CT
BAR 90-02LS E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 8V 130MA SOT323
详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Common Anode 8V 130mA 150mW PG-SOT323-3
型号：
BAT6806WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BAT6806WH6327XTSA1CT-ND
别名：BAT 68-06W H6327CT
BAT 68-06W H6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
TRANS RF NPN 15V 45MA SOT323
详细描述：RF Transistor NPN 15V 45mA 5GHz 280mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号：
BFR92WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BFR92WH6327XTSA1CT-ND
别名：BFR 92W H6327CT
BFR 92W H6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 45A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 45A（Ta） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH4210TRPBF
仓库库存编号：
IRFH4210TRPBFCT-ND
别名：IRFH4210TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta） 3.6W（Ta），96W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH4213DTRPBF
仓库库存编号：
IRFH4213DTRPBFCT-ND
别名：IRFH4213DTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 41A（Ta） 3.6W（Ta），89W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH4213TRPBF
仓库库存编号：
IRFH4213TRPBFCT-ND
别名：IRFH4213TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta） 3.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH4234TRPBF
仓库库存编号：
IRFH4234TRPBFCT-ND
别名：IRFH4234TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 28A（Ta） 2.7W（Ta），39W（Tc）
型号：
IRFHM4226TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM4226TRPBFCT-ND
别名：IRFHM4226TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 20A（Ta） 2.8W（Ta），28W（Tc）
型号：
IRFHM4234TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM4234TRPBFCT-ND
别名：IRFHM4234TRPBFCT
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