产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD053N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 GCT-ND
IPD053N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3 GCT
IPD068P03L3 GCT-ND
IPD068P03L3GBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3 GCT
IPD122N10N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-ND
IPD180N10N3GBTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD250N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD250N06N3 GCT
IPD250N06N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3 GCT
IPD530N15N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R520C6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R520C6BTMA1CT
IPD60R520C6CT
IPD60R520C6CT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R520CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R520CPCT
IPD60R520CPCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R600CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R600CPCT
IPD60R600CPCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名:SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S207GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2-07 GCT
SPD50N03S2-07 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 39A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB012N03LX3 G
仓库库存编号:
BSB012N03LX3 GCT-ND
别名:BSB012N03LX3 GCT
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MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 37A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB012NE2LX
仓库库存编号:
BSB012NE2LXCT-ND
别名:BSB012NE2LXCT
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MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),147A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB017N03LX3 G
仓库库存编号:
BSB017N03LX3 GCT-ND
别名:BSB017N03LX3 GCT
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSD314SPEL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSD314SPEL6327HTSA1CT-ND
别名:BSD314SPE L6327CT
BSD314SPE L6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSD816SNL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSD816SNL6327HTSA1CT-ND
别名:BSD816SN L6327CT
BSD816SN L6327CT-ND
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MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),60A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF050N03LQ3GXUMA1
仓库库存编号:
BSF050N03LQ3GXUMA1CT-ND
别名:BSF050N03LQ3 GCT
BSF050N03LQ3 GCT-ND
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MOSFET 2N-CH 20V 2.1A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.1A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号:
BSL207NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL207NL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL207N L6327CT
BSL207N L6327CT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号:
BSL308PEL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL308PEL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL308PE L6327CT
BSL308PE L6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号:
BSL806NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL806NL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL806N L6327CT
BSL806N L6327CT-ND
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MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP299L6327HUSA1CT-ND
别名:BSP299 L6327CT
BSP299 L6327CT-ND
BSP299L6327
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 170mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP324L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP324L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP324 L6327CT
BSP324 L6327CT-ND
BSP324L6327
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MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NL6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS159NL6906HTSA1CT-ND
别名:BSS159N L6906CT
BSS159N L6906CT-ND
BSS159NL6906
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MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS169L6906HTSA1CT-ND
别名:BSS169 L6906CT
BSS169 L6906CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 剪切带(CT) ,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 96W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF7946TR1PBF
仓库库存编号:
IRF7946TR1PBFCT-ND
别名:IRF7946TR1PBFCT
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