产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS205NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS205NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS205N L6327INCT
BSS205N L6327INCT-ND
BSS205NL6327
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03M G
仓库库存编号：
IPD031N03M GINCT-ND
别名：IPD031N03M GINCT
IPD031N03MG
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SCD80-2
详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 40V 120mA PG-SCD80-2
型号：
BAT6402WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BAT6402WH6327XTSA1CT-ND
别名：BAT 64-02W H6327INCT
BAT 64-02W H6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD04N60R
仓库库存编号：
IKD04N60RINCT-ND
别名：IKD04N60RINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD06N60R
仓库库存编号：
IKD06N60RINCT-ND
别名：IKD06N60RINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD10N60R
仓库库存编号：
IKD10N60RINCT-ND
别名：IKD10N60RINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380C6
仓库库存编号：
IPD60R380C6INCT-ND
别名：IPD60R380C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R600C6BTMA1CT
IPD60R600C6INCT
IPD60R600C6INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6
仓库库存编号：
IPD60R950C6INCT-ND
别名：IPD60R950C6INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5004TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5004TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5004TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 10A（Ta），56A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5015TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5015TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5015TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.1A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5020TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5020TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5020TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5250DTR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5250DTR2PBFCT-ND
别名：IRFH5250DTR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），51A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5255TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5255TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5255TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5302DTR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5302DTR2PBFCT-ND
别名：IRFH5302DTR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），79A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5304TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5304TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5304TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRLH5030TR2PBF
仓库库存编号：
IRLH5030TR2PBFCT-ND
别名：IRLH5030TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-3
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 3A（DC） PG-TO252-3
型号：
IDD03SG60CXTMA1
仓库库存编号：
IDD03SG60CXTMA1CT-ND
别名：IDD03SG60CCT
IDD03SG60CCT-ND
IDD03SG60CXTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB021N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB021N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB021N06N3 GCT
IPB021N06N3 GCT-ND
IPB021N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB034N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB034N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3 GCT-ND
IPB034N06N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R600CPATMA1
仓库库存编号：
IPB60R600CPATMA1CT-ND
别名：IPB60R600CPCT
IPB60R600CPCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号：
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
别名：IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1405ZSTRL7PP
仓库库存编号：
IRF1405ZSTRL7PPCT-ND
别名：IRF1405ZSTRL7PPCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 12A（Ta），39A（Tc） 1.8W（Ta），21W（Tc） DIRECTFET S1
型号：
IRF6709S2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6709S2TR1PBFCT-ND
别名：IRF6709S2TR1PBFCT
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