产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.5A（Ta），73A（Tc） 17.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC059N03S G
仓库库存编号：
BSC059N03SGINCT-ND
别名：BSC059N03SG
BSC059N03SGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），43W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC119N03S G
仓库库存编号：
BSC119N03SGINCT-ND
别名：BSC119N03SG
BSC119N03SGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL211SPL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL211SPL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL211SPL6327INCT
BSL211SPL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL307SPL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL307SPL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL307SPL6327INCT
BSL307SPL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO052N03S
仓库库存编号：
BSO052N03SINCT-ND
别名：BSO052N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO072N03S
仓库库存编号：
BSO072N03SINCT-ND
别名：BSO072N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO119N03S
仓库库存编号：
BSO119N03SINCT-ND
别名：BSO119N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO150N03
仓库库存编号：
BSO150N03INCT-ND
别名：BSO150N03INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO200N03
仓库库存编号：
BSO200N03INCT-ND
别名：BSO200N03INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO200N03S
仓库库存编号：
BSO200N03SINCT-ND
别名：BSO200N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO300N03S
仓库库存编号：
BSO300N03SINCT-ND
别名：BSO300N03SINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO350N03
仓库库存编号：
BSO350N03INCT-ND
别名：BSO350N03INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP170PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP170PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP170PL6327
BSP170PL6327INCT
BSP170PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP171PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP171PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP171PL6327
BSP171PL6327INCT
BSP171PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP295L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP295L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP295L6327
BSP295L6327INCT
BSP295L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP296L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP296L6327INCT
BSP296L6327INCT-ND
BSP296XTINCT
BSP296XTINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 660mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP297L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP297L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP297L6327
BSP297L6327INCT
BSP297L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP315PL6327
BSP315PL6327INCT
BSP315PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP316PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP316PL6327
BSP316PL6327INCT
BSP316PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP317PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP317PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP317PL6327
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP372L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP372L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP372L6327
BSP372L6327INCT
BSP372L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP373L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP373L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP373L6327INCT
BSP373L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP613PL6327HUSA1
仓库库存编号：
BSP613PL6327HUSA1CT-ND
别名：BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP89L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP89L6327HTSA1CT-ND
别名：BSP89L6327
BSP89L6327INCT
BSP89L6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.26A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP92PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP92PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSP92PL6327
BSP92PL6327INCT
BSP92PL6327INCT-ND
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