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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH PW-MINI
  详细描述：RF Mosfet N-Channel 6V 500mA 470MHz 13.3dB 4.3W PW-MINI
  
  型号：RFM04U6P(TE12L,F)
  仓库库存编号：RFM04U6P(TE12LF)CT-ND
  别名：RFM04U6P(TE12LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  
  型号：RN1106MFV(TL3,T)
  仓库库存编号：RN1106MFV(TL3T)CT-ND
  别名：RN1106MFV(TL3T)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  
  型号：RN1109(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1109(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1109(T5LFT)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  
  型号：RN1112(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1112(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1112(T5LFT)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  
  型号：RN1117(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1117(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1117(T5LFT)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  
  型号：RN1118(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1118(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1118(T5LFT)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  
  型号：RN1906(T5L,F,T)
  仓库库存编号：RN1906(T5LFT)CT-ND
  别名：RN1906(T5LFT)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  
  型号：RN1961FE(TE85L,F)
  仓库库存编号：RN1961FE(TE85LF)CT-ND
  别名：RN1961FE(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 330mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3J36MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3J36MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3J36MFV(TL3T)CT
  SSM3J36MFV(TL3T)CT-ND
  SSM3J36MFVL3FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K01T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K01T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K01T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K302T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K302T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K302T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K309T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K309T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K309T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.5A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K318T,LF
  仓库库存编号：SSM3K318TLFCT-ND
  别名：SSM3K318TLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 500mA 500mW Surface Mount UF6
  
  型号：SSM6L11TU(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM6L11TU(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM6L11TU(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Microsemi Corporation
  DIODE ZENER 4.7V 5W SMBJ
  详细描述：Zener Diode 4.7V 5W ±5% Surface Mount SMBJ (DO-214AA)
  
  型号：SMBJ5337BE3/TR13
  仓库库存编号：SMBJ5337BE3/TR13CT-ND
  别名：SMBJ5337BE3/TR13CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 85A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6544
  仓库库存编号：785-1627-1-ND
  别名：785-1627-1
  
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 23A, 40A 5W, 4.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  
  型号：AON6971
  仓库库存编号：785-1631-1-ND
  别名：785-1631-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 8-DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 900mW Surface Mount 8-AlphaDFN (3.2x2)
  
  型号：AOC4810
  仓库库存编号：785-1619-1-ND
  别名：785-1619-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY12N06TTRL
  仓库库存编号：IXTY12N06TTRLCT-ND
  别名：IXTY12N06TTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• ON Semiconductor
  JFET N-CH 30V 0.35W TO-92
  详细描述：JFET N-Channel 30V 350mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：MPF4393RLRPG
  仓库库存编号：MPF4393RLRPGOSCT-ND
  别名：MPF4393RLRPGOSCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 104W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK12V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK12V60WLVQCT-ND
  别名：TK12V60WLVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 139W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK16V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK16V60WLVQCT-ND
  别名：TK16V60WLVQCT
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.2A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN25EN,115
  仓库库存编号：568-10416-1-ND
  别名：568-10416-1
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Ta） 530mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN25UN,115
  仓库库存编号：568-10417-1-ND
  别名：568-10417-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 25A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2801
  仓库库存编号：917-1035-1-ND
  别名：917-1035-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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