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产品分类：分立半导体产品,规格：包装剪切带（CT） ,

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号：IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-252-3

型号：IPD60R1K5CEATMA1
仓库库存编号：IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R1K5CEATMA1CT

产品分类：分立半导体产品,规格：包装剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8

型号：BSC020N03LSGATMA1
仓库库存编号：BSC020N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS GCT-ND

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Nexperia USA Inc.
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 1.25W Surface Mount SOT-223

型号：BSP52,115
仓库库存编号：1727-4931-1-ND
别名：1727-4931-1
568-6223-1
568-6223-1-ND

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3-2

型号：IPB80N04S3-06
仓库库存编号：IPB80N04S306ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-06CT
IPB80N04S3-06CT-ND

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 68A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 68A（Tc） 83W（Tc） PQFN（5x6）

型号：IRFH7787TRPBF
仓库库存编号：IRFH7787TRPBFCT-ND
别名：IRFH7787TRPBFCT

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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7A 1.6W Surface Mount P-DSO-8

型号：BSO203PHXUMA1
仓库库存编号：BSO203PHXUMA1CT-ND
别名：BSO203P HCT
BSO203P HCT-ND

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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 5.6V 1.5W SC73
详细描述：Zener Diode 5.6V 1.5W ±5% Surface Mount SOT-223

型号：BZV90-C5V6,115
仓库库存编号：1727-5415-1-ND
别名：1727-5415-1
568-6860-1
568-6860-1-ND

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Infineon Technologies
IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
详细描述：IGBT NPT 600V 7.8A 52W Surface Mount D-Pak

型号：IRGR3B60KD2TRP
仓库库存编号：IRGR3B60KD2TRPCT-ND
别名：IRGR3B60KD2TRPCT

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 135A
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 135A（Tc） 74W（Tc） DirectFET? 等容 MF

型号：IRF7483MTRPBF
仓库库存编号：IRF7483MTRPBFCT-ND
别名：IRF7483MTRPBFCT

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2

型号：IPB530N15N3GATMA1
仓库库存编号：IPB530N15N3GATMA1CT-ND
别名：IPB530N15N3 GCT
IPB530N15N3 GCT-ND

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD70N10S312ATMA1
仓库库存编号：IPD70N10S312ATMA1CT-ND
别名：IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12CT-ND

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD70N10S3L-12
仓库库存编号：IPD70N10S3L12ATMA1CT-ND
别名：IPD70N10S3L-12CT
IPD70N10S3L-12CT-ND

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta），40A（Tc） 2.2W（Ta），43W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?

型号：BSF134N10NJ3 G
仓库库存编号：BSF134N10NJ3 GCT-ND
别名：BSF134N10NJ3 GCT

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263

型号：IPB65R600C6ATMA1
仓库库存编号：IPB65R600C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R600C6CT
IPB65R600C6CT-ND

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Nexperia USA Inc.
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 1A SC73
详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 60V 1A (DC) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA

型号：BAT160S,115
仓库库存编号：1727-5451-1-ND
别名：1727-5451-1
568-6922-1
568-6922-1-ND

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3

型号：SPD08N50C3
仓库库存编号：SPD08N50C3INCT-ND
别名：SPD08N50C3INCT
SPD08N50C3XTINCT
SPD08N50C3XTINCT-ND

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD90N04S304ATMA1
仓库库存编号：IPD90N04S304ATMA1CT-ND
别名：IPD90N04S3-04CT
IPD90N04S3-04CT-ND

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IGBT 600V 14A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak

型号：IRG4RC10SDTRPBF
仓库库存编号：IRG4RC10SDTRPBFCT-ND
别名：IRG4RC10SDTRPBFCT

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD65R380E6BTMA1
仓库库存编号：IPD65R380E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R380E6BTMA1CT
IPD65R380E6CT
IPD65R380E6CT-ND

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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W DPAK
详细描述：IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak

型号：IRG4RC10KDTRPBF
仓库库存编号：IRG4RC10KDTRPBFCT-ND
别名：IRG4RC10KDTRPBFCT

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3

型号：IPD65R420CFDBTMA1
仓库库存编号：IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
别名：IPD65R420CFDCT
IPD65R420CFDCT-ND

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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3

型号：SGB02N120
仓库库存编号：SGB02N120ATMA1CT-ND
别名：SGB02N120CT
SGB02N120CT-ND

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MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3

型号：IPD60R650CEATMA1
仓库库存编号：IPD60R650CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R650CEATMA1CT

产品分类：分立半导体产品,规格：包装剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2

型号：IPB80N04S304ATMA1
仓库库存编号：IPB80N04S304ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-04CT
IPB80N04S3-04CT-ND
IPB80N04S304

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