产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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NXP USA Inc.
DIODE SILICON PIN SOD-882T
详细描述：RF Diode PIN - Single 30V 100mA 135mW SOD2
型号：
BAP65LX,315
仓库库存编号：
568-13512-1-ND
别名：568-13512-1
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 300V 250MA SOT143
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 300V 250mA (DC) Surface Mount TO-253-4, TO-253AA
型号：
BAW101E6327HTSA1
仓库库存编号：
BAW101E6327HTSA1CT-ND
别名：BAW101E6327
BAW101E6327INCT
BAW101E6327INCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANS 2PNP 45V 0.5A SC-74
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 500mA 200MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6
型号：
BC807UE6327HTSA1
仓库库存编号：
BC807UE6327HTSA1CT-ND
别名：BC 807U E6327CT
BC 807U E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3
详细描述：RF Transistor NPN 9V 10mA 14GHz 60mW Surface Mount PG-TSLP-3
型号：
BFR340L3E6327XTMA1
仓库库存编号：
BFR340L3E6327XTMA1CT-ND
别名：BFR 340L3 E6327CT
BFR 340L3 E6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF PIN 150V 100MA SOT323
详细描述：RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 150V 100mA 250mW PG-SOT323-3
型号：
BAR6406WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BAR6406WH6327XTSA1CT-ND
别名：BAR 64-06W H6327CT
BAR 64-06W H6327CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF PIN 150V 100MA SOT323
详细描述：RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 100mA 250mW PG-SOT323-3
型号：
BAR6404WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BAR6404WH6327XTSA1CT-ND
别名：BAR 64-04W H6327CT
BAR 64-04W H6327CT-ND
BAR6404WH6327XTSA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA TSLP-2
详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 30V 500mA（DC） PG-TSLP-2
型号：
BAS3005S02LRHE6327XTSA1
仓库库存编号：
BAS3005S02LRHE6327XTSA1CT-ND
别名：BAS3005S-02LRHE6327INCT
BAS3005S-02LRHE6327INCT-ND
BAS3005S02LRHE6327
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 80V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
型号：
BAW 56 B5003
仓库库存编号：
BAW56B5003INCT-ND
别名：BAW56B5003
BAW56B5003INCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.3A（Tc） 22W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R2K1CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
别名：IPD60R2K1CEBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 25V 6.5MA SOT23
详细描述：RF Mosfet N-Channel JFET TO-236AB (SOT23)
型号：
BF861A,215
仓库库存编号：
568-8477-1-ND
别名：568-8477-1
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B
详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 15V 10mA 200MHz 25dB SOT-143B
型号：
BF996S,215
仓库库存编号：
568-6180-1-ND
别名：568-6180-1
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
详细描述：JFET N-Channel 10mA 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
型号：
BFT46,215
仓库库存编号：
568-8482-1-ND
别名：568-8482-1
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号：
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名：BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.6W（Ta），20W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8342TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8342TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8342TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.7W（Ta），28W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8334TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8334TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8334TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 24V 300MW SOD323
详细描述：Zener Diode 24V 300mW ±5% Surface Mount SOD-323
型号：
BZX384-C24,115
仓库库存编号：
1727-1145-1-ND
别名：1727-1145-1
568-10311-1
568-10311-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 16V 300MW SOD323
详细描述：Zener Diode 16V 300mW ±5% Surface Mount SOD-323
型号：
BZX384-C16,115
仓库库存编号：
1727-1637-1-ND
别名：1727-1637-1
568-11172-1
568-11172-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 22V 300MW SOD323
详细描述：Zener Diode 22V 300mW ±5% Surface Mount SOD-323
型号：
BZX384-C22,115
仓库库存编号：
1727-1638-1-ND
别名：1727-1638-1
568-11173-1
568-11173-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 62V 300MW SOD323
详细描述：Zener Diode 62V 300mW ±5% Surface Mount SOD-323
型号：
BZX384-C62,115
仓库库存编号：
1727-1648-1-ND
别名：1727-1648-1
568-11183-1
568-11183-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 7.5V 300MW SOD323
详细描述：Zener Diode 7.5V 300mW ±5% Surface Mount SOD-323
型号：
BZX384-C7V5,115
仓库库存编号：
1727-1651-1-ND
别名：1727-1651-1
568-11186-1
568-11186-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.3A（Ta），18A（Tc） 29W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC440N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC440N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC440N10NS3 GCT
BSC440N10NS3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.7W（Ta），33W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8330TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8330TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8330TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名：IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER 3.9V 300MW SOD523
详细描述：Zener Diode 3.9V 300mW ±5% Surface Mount SOD-523
型号：
BZX585-C3V9,115
仓库库存编号：
1727-1657-1-ND
别名：1727-1657-1
568-11192-1
568-11192-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 70V 70mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
型号：
BAS 70-05 B5003
仓库库存编号：
BAS70-05B5003INCT-ND
别名：BAS70-05B5003INCT
BAS7005B5003
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 剪切带（CT） ,
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