产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR12N25D
仓库库存编号:
IRFR12N25D-ND
别名:*IRFR12N25D
SP001572818
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 144W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU12N25D
仓库库存编号:
IRFU12N25D-ND
别名:*IRFU12N25D
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1404S
仓库库存编号:
IRL1404S-ND
别名:*IRL1404S
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 75A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3704
仓库库存编号:
IRFR3704-ND
别名:*IRFR3704
SP001571518
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2
仓库库存编号:
IRF7807VD2-ND
别名:*IRF7807VD2
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 160A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL1404L
仓库库存编号:
IRL1404L-ND
别名:*IRL1404L
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1407L
仓库库存编号:
IRF1407L-ND
别名:*IRF1407L
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7751
仓库库存编号:
IRF7751-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1407S
仓库库存编号:
IRF1407S-ND
别名:*IRF1407S
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC10SD-S
仓库库存编号:
IRG4BC10SD-S-ND
别名:*IRG4BC10SD-S
IRG4BC10SDS
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 206A(Ta) 300W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRFBA1404
仓库库存编号:
IRFBA1404-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1
仓库库存编号:
IRF7807VD1-ND
别名:*IRF7807VD1
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO262
详细描述:通孔 P 沟道 150V 13A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF6215L-103
仓库库存编号:
IRF6215L-103-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3716
仓库库存编号:
IRL3716-ND
别名:*IRL3716
Q1265959
SP001568284
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 180A(Tc) 210W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3716S
仓库库存编号:
IRL3716S-ND
别名:*IRL3716S
Q1282555
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7476
仓库库存编号:
IRF7476-ND
别名:*IRF7476
Q1332195
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 32A 200W TO220
详细描述:IGBT 1200V 32A 200W Through Hole TO-220AB
型号:
BUP213
仓库库存编号:
BUP213IN-ND
别名:BUP213IN
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ30A
仓库库存编号:
BUZ30AIN-ND
别名:BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73
仓库库存编号:
BUZ73IN-ND
别名:BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
BUZ80A
仓库库存编号:
BUZ80AIN-ND
别名:BUZ80AIN
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 41A 250W TO263
详细描述:IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole TO-220AB
型号:
SGP30N60XKSA1
仓库库存编号:
SGP30N60XKSA1-ND
别名:SGP30N60
SGP30N60IN
SGP30N60IN-ND
SP000683130
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP03N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP03N60S5HKSA1-ND
别名:SPP03N60S5
SPP03N60S5IN
SPP03N60S5IN-ND
SPP03N60S5X
SPP03N60S5XTIN
SPP03N60S5XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N60S5
仓库库存编号:
SPP07N60S5IN-ND
别名:SPP07N60S5BKSA1
SPP07N60S5IN
SPP07N60S5X
SPP07N60S5XTIN
SPP07N60S5XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.8A(Tc) 42W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP08P06PBKSA1
仓库库存编号:
SPP08P06PBKSA1-ND
别名:SP000012085
SPP08P06P
SPP08P06PIN
SPP08P06PIN-ND
SPP08P06PX
SPP08P06PXK
SPP08P06PXTIN
SPP08P06PXTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60S5HKSA1-ND
别名:SPP11N60S5
SPP11N60S5IN
SPP11N60S5IN-ND
SPP11N60S5X
SPP11N60S5XTIN
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