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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 81A TO-247-2
  
  型号：GDP30P120B
  仓库库存编号：1560-1024-5-ND
  别名：1560-1024-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 30A（DC） TO-247-2
  
  型号：GDP30S120B
  仓库库存编号：1560-1025-5-ND
  别名：1560-1025-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 600V 36A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 36A（DC） TO-247-2
  
  型号：GDP36Z060B
  仓库库存编号：1560-1026-5-ND
  别名：1560-1026-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 600V 24A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：GDP48Y060B
  仓库库存编号：1560-1027-5-ND
  别名：1560-1027-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 50A（DC） TO-247-2
  
  型号：GDP50P120B
  仓库库存编号：1560-1028-5-ND
  别名：1560-1028-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 1200V 30A Through Hole TO-247-3
  
  型号：GDP60D120B
  仓库库存编号：1560-1029-5-ND
  别名：1560-1029-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Anode Silicon Carbide Schottky 1200V 30A Through Hole TO-247-3
  
  型号：GDP60Y120B
  仓库库存编号：1560-1030-5-ND
  别名：1560-1030-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 60A（DC） TO-247-2
  
  型号：GDP60Z120E
  仓库库存编号：1560-1031-5-ND
  别名：1560-1031-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M003A050FG
  仓库库存编号：1560-1154-5-ND
  别名：1560-1154-1
  1560-1154-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M003A080FH
  仓库库存编号：1560-1156-5-ND
  别名：1560-1156-1
  1560-1156-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A090PH
  仓库库存编号：1560-1158-5-ND
  别名：1560-1158-1
  1560-1158-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M005A050FSH
  仓库库存编号：1560-1159-5-ND
  别名：1560-1159-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 92.5W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M005A050HS
  仓库库存编号：1560-1160-5-ND
  别名：1560-1160-1
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  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065FH
  仓库库存编号：1560-1161-5-ND
  别名：1560-1161-1
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  MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A070FH
  仓库库存编号：1560-1162-5-ND
  别名：1560-1162-1
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  MOSFET N-CH 900V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M007A090FH
  仓库库存编号：1560-1164-5-ND
  别名：1560-1164-1
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  MOSFET N-CH 900V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M007A090H
  仓库库存编号：1560-1165-5-ND
  别名：1560-1165-1
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  MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M008A025PG
  仓库库存编号：1560-1166-5-ND
  别名：1560-1166-1
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  MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M008A050FG
  仓库库存编号：1560-1168-5-ND
  别名：1560-1168-1
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  MOSFET N-CH 500V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A050HG
  仓库库存编号：1560-1169-5-ND
  别名：1560-1169-1
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  MOSFET N-CH 800V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A080H
  仓库库存编号：1560-1170-5-ND
  别名：1560-1170-1
  1560-1170-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 17.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A020FG
  仓库库存编号：1560-1171-5-ND
  别名：1560-1171-1
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  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A060H
  仓库库存编号：1560-1172-5-ND
  别名：1560-1172-1
  1560-1172-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A090FH
  仓库库存编号：1560-1173-5-ND
  别名：1560-1173-1
  1560-1173-1-ND
  
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  MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 9.5A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M009A090N
  仓库库存编号：1560-1174-5-ND
  别名：1560-1174-1
  1560-1174-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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