产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK751R8-40E,127
仓库库存编号：
1727-7234-ND
别名：1727-7234
568-9838-5
568-9838-5-ND
934066479127
BUK751R840E127
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK753R8-80E,127
仓库库存编号：
1727-7237-ND
别名：1727-7237
568-9843-5
568-9843-5-ND
934066482127
BUK753R880E127
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK755R4-100E,127
仓库库存编号：
1727-7238-ND
别名：1727-7238
568-9845-5
568-9845-5-ND
934066483127
BUK755R4100E127
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK758R3-40E,127
仓库库存编号：
1727-7239-ND
别名：1727-7239
568-9846-5
568-9846-5-ND
934066425127
BUK758R340E127
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 293W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK953R5-60E,127
仓库库存编号：
1727-7249-ND
别名：1727-7249
568-9864-5
568-9864-5-ND
934066476127
BUK953R560E127
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C
详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 600mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20dB 38W SOT467C
型号：
BLF6H10L-160,112
仓库库存编号：
BLF6H10L-160,112-ND
别名：934065657112
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 1.2A 2.3GHz ~ 2.4GHz 18.5dB 30W SOT539A
型号：
BLF7G24L-160P,112
仓库库存编号：
BLF7G24L-160P,112-ND
别名：934066342112
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 15.9DB SOT539B
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 750mA 1.88GHz 15.9dB 50W SOT539B
型号：
BLF8G20LS-260A,112
仓库库存编号：
BLF8G20LS-260A,112-ND
别名：934067196112
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 1.74A 2.3GHz ~ 2.4GHz 17.2dB 60W SOT539A
型号：
BLF8G24L-200P,112
仓库库存编号：
BLF8G24L-200P,112-ND
别名：934066302112
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 1.74A 2.3GHz ~ 2.4GHz 17.2dB 60W SOT539B
型号：
BLF8G24LS-200P,112
仓库库存编号：
BLF8G24LS-200P,112-ND
别名：934066303112
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 234W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK954R8-60E,127
仓库库存编号：
1727-1132-ND
别名：1727-1132
568-10287
568-10287-5
568-10287-5-ND
568-10287-ND
934066477127
BUK954R8-60E,127-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 600V 100A Chassis Mount ISOTOP
型号：
STTH200W06TV1
仓库库存编号：
497-13401-ND
别名：497-13401
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2003J
仓库库存编号：
SG2003J-ND
别名：1259-1080
1259-1080-MIL
1259-1080-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2003J-883B
仓库库存编号：
1259-1081-ND
别名：1259-1081
1259-1081-MIL
Q10386303
SG2003J883B
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2003J-JAN
仓库库存编号：
1259-1082-ND
别名：1259-1082
1259-1082-MIL
M38510/14103BEA
Q9387418
SG2003JJAN
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2023J-DESC
仓库库存编号：
1259-1083-ND
别名：1259-1083
1259-1083-MIL
5962-8987601EA
SG2023JDESC
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2803J-883B
仓库库存编号：
1259-1084-ND
别名：1259-1084
1259-1084-MIL
Q10610783
Q10991540
SG2803J883B
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2803J-DESC
仓库库存编号：
1259-1085-ND
别名：1259-1085
1259-1085-MIL
5962-8605801VA
Q10830625
SG2803JDESC
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2823J
仓库库存编号：
SG2823J-ND
别名：1259-1086
1259-1086-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2823J-883B
仓库库存编号：
1259-1087-ND
别名：1259-1087
1259-1087-MIL
SG2823J883B
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95V 500mA Through Hole 18-CDIP
型号：
SG2823J-DESC
仓库库存编号：
1259-1088-ND
别名：1259-1088
1259-1088-MIL
5962-8968501VA
SG2823JDESC
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 2500V 60A 250W PLUS220SMD
详细描述：IGBT NPT 2500V 60A 250W Surface Mount PLUS-220SMD
型号：
IXGV25N250S
仓库库存编号：
IXGV25N250S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 4500V 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA02N450HV
仓库库存编号：
IXTA02N450HV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4000V 300mA（Tc） 70W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF03N400
仓库库存编号：
IXTF03N400-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 18A 100W TO247AD
详细描述：IGBT 3000V 18A 100W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH10N300
仓库库存编号：
IXGH10N300-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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