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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 9.2A（Ta），49A（Tc） 1.27W（Ta），36.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4863NA-35G
  仓库库存编号：NTD4863NA-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4906N-35G
  仓库库存编号：NTD4906N-35GOS-ND
  别名：NTD4906N-35G-ND
  NTD4906N-35GOS
  NTD4906N35G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） 1.38W（Ta），37.5W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4906N-1G
  仓库库存编号：NTD4906N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4909N-35G
  仓库库存编号：NTD4909N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.8A（Ta），41A（Tc） 1.37W（Ta），29.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4909N-1G
  仓库库存编号：NTD4909N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 10.3A（Ta），54A（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4906NA-35G
  仓库库存编号：NTD4906NA-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 12A（Ta），67A（Tc） 1.4W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4905N-1G
  仓库库存编号：NTD4905N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 13A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4904N-35G
  仓库库存编号：NTD4904N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 12A（Ta），67A（Tc） 1.4W（Ta），44W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4905N-35G
  仓库库存编号：NTD4905N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 12A（Ta），78A（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4857NA-1G
  仓库库存编号：NTD4857NA-1G-ND
  
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE 4A 1000V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4M-G
  仓库库存编号：641-1424-5-ND
  别名：641-1424-5
  GBU4MG
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2500V 200mA（Tc） 83W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV02N250S
  仓库库存编号：IXTV02N250S-ND
  别名：Q4965894
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 800V 4A Surface Mount D-Pak
  
  型号：ACST4-8SB
  仓库库存编号：ACST4-8SB-ND
  
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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 800V 1.5A I2PAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 800V 1.5A Through Hole I2PAK
  
  型号：ACST6-8SR
  仓库库存编号：ACST6-8SR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 10A 55W IPAK
  详细描述：IGBT 1200V 10A 55W Through Hole I-Pak
  
  型号：STGD7NB120S-1
  仓库库存编号：STGD7NB120S-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• STMicroelectronics
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220F
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  
  型号：STPS20L120CFP
  仓库库存编号：497-11889-5-ND
  别名：497-11889-5
  STPS20L120CFP-ND
  
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• STMicroelectronics
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-220-3
  
  型号：STPS20L120CT
  仓库库存编号：STPS20L120CT-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 43A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN52N90P
  仓库库存编号：IXFN52N90P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 380W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV12N90P
  仓库库存编号：IXFV12N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 18A（Tc） 540W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV18N90P
  仓库库存编号：IXFV18N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 12A（Tc） 380W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV12N90PS
  仓库库存编号：IXFV12N90PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 18A（Tc） 540W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV18N90PS
  仓库库存编号：IXFV18N90PS-ND
  
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• Ampleon USA Inc.
  RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 36V 150mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 13dB 200W LDMOST
  
  型号：BLA1011-200R,112
  仓库库存编号：BLA1011-200R,112-ND
  别名：934063384112
  
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• Ampleon USA Inc.
  RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.14GHz 14dB 8W CDFM4
  
  型号：BLD6G22L-50,112
  仓库库存编号：568-8632-5-ND
  别名：568-8632
  568-8632-5
  568-8632-ND
  934063511112
  BLD6G22L-50,112-ND
  BLD6G22L50112
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Ampleon USA Inc.
  RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.14GHz 14dB 8W CDFM4
  
  型号：BLD6G22LS-50,112
  仓库库存编号：BLD6G22LS-50,112-ND
  别名：934063512112
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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