产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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分立半导体产品
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 48A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT48M80L
仓库库存编号:
APT48M80L-ND
别名:APT48M80LMI
APT48M80LMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH70N60C5
仓库库存编号:
IXKH70N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
型号:
APT45GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT45GP120B2DQ2G-ND
别名:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 200V 50A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 50A Chassis Mount ISOTOP
型号:
STTH10002TV1
仓库库存编号:
497-5272-5-ND
别名:497-5272-5
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT60N60BCSG
仓库库存编号:
APT60N60BCSG-ND
别名:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 1890W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB100N50P
仓库库存编号:
IXFB100N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 600V 40A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 40A Chassis Mount ISOTOP
型号:
STTH60L06TV1
仓库库存编号:
497-3796-5-ND
别名:497-3796-5
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 80A 360W TO268
详细描述:IGBT 1700V 80A 360W Surface Mount TO-268
型号:
IXBT42N170
仓库库存编号:
IXBT42N170-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 69A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 450W(Tc) TO-247
型号:
STW78N65M5
仓库库存编号:
497-13603-5-ND
别名:497-13603-5
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
DIODE MODULE 200V 100A SOT227B
详细描述:Diode Array 2 Independent Schottky 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
DSS2X101-02A
仓库库存编号:
DSS2X101-02A-ND
别名:DSS2X10102A
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1200V 240A 830W TO264
详细描述:IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK120N120A3
仓库库存编号:
IXGK120N120A3-ND
别名:622019
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX60N50L2
仓库库存编号:
IXTX60N50L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 960W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB80N50Q2
仓库库存编号:
IXFB80N50Q2-ND
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STMicroelectronics
FET RF 40V 870MHZ
详细描述:RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 870MHz 17dB 15W PowerSO-10RF (Formed Lead)
型号:
PD85035-E
仓库库存编号:
497-8299-5-ND
别名:497-8299
497-8299-5
497-8299-ND
PD85035-E-ND
PD85035E
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 40A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
STE40NC60
仓库库存编号:
497-3169-5-ND
别名:497-3169-5
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 625W(Tc) MAX247?
型号:
STY112N65M5
仓库库存编号:
497-11236-5-ND
别名:497-11236-5
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Cree/Wolfspeed
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 22A Through Hole TO-247-3
型号:
C2D20120D
仓库库存编号:
C2D20120D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 22A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN22N100L
仓库库存编号:
IXTN22N100L-ND
别名:611085
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 600V 141A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 141A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
VS-UFB230FA60
仓库库存编号:
VS-UFB230FA60-ND
别名:UFB230FA60
UFB230FA60-ND
VSUFB230FA60
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APL502LG
仓库库存编号:
APL502LG-ND
别名:APL502LGMI
APL502LGMI-ND
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IXYS
IGBT 600V 75A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH36N60B3C1
仓库库存编号:
IXGH36N60B3C1-ND
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
详细描述:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32V 100mA 1.3GHz 17.5dB 200W CDFM4
型号:
BLF647PS,112
仓库库存编号:
568-11648-5-ND
别名:568-11648-5
934066857112
BLF647PS,112-ND
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Cree/Wolfspeed
FET RF 125V 2.2GHZ 440162
详细描述:RF Mosfet HEMT 50V 1A 1.8GHz ~ 2.2GHz 18dB 200W 440162
型号:
CGHV22200F
仓库库存编号:
CGHV22200F-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R2K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R2K0CEBKMA1-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K1CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K1CEBKMA1-ND
别名:SP001276064
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