产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 35A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N110Q3
仓库库存编号:
IXFN40N110Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 25A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10035JLL
仓库库存编号:
APT10035JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 45A TO247
详细描述:通孔 1200V 45A(Tc) 282W(Tc) TO-247AB
型号:
GA20SICP12-247
仓库库存编号:
GA20SICP12-247-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 480V 80A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN80N48
仓库库存编号:
IXFN80N48-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 130A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN130N30
仓库库存编号:
IXFN130N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4
详细描述:IGBT 3000V 34A 150W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXBF20N300
仓库库存编号:
IXBF20N300-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 71A(Tc) 595W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M50JLL
仓库库存编号:
APT50M50JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 400V 400A SOT227B
详细描述:标准 底座安装 二极管 400V 400A SOT-227B
型号:
DPF400C400NB
仓库库存编号:
DPF400C400NB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 30A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFB30N120Q2
仓库库存编号:
IXFB30N120Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 500V 58A(Tc) 730W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APL502B2G
仓库库存编号:
APL502B2G-ND
别名:APL502B2GMI
APL502B2GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 1100V 24A(Tc) 500W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F40N110P
仓库库存编号:
MMIX1F40N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Rohm Semiconductor
DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 600V 20A (DC) Through Hole TO-247-3
型号:
SCS140AE2C
仓库库存编号:
SCS140AE2C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 34A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN34N100
仓库库存编号:
IXFN34N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 49A(Tc) 730W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APL602B2G
仓库库存编号:
APL602B2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 30A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN30N120P
仓库库存编号:
IXFN30N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 33A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT32F120J
仓库库存编号:
APT32F120J-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1700V 110A 1040W TO264
详细描述:IGBT 1700V 110A 1040W Through Hole TO-264
型号:
IXBK75N170A
仓库库存编号:
IXBK75N170A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 34A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN40N110P
仓库库存编号:
IXFN40N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 800W(Tc) PLUS264?
型号:
IXTB30N100L
仓库库存编号:
IXTB30N100L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247
详细描述:IGBT 1700V 110A 1040W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXBX75N170A
仓库库存编号:
IXBX75N170A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
DIODE SCHOTTKY 600V ISOPLUS-5
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 6.6A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FBS10-06SC
仓库库存编号:
FBS10-06SC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 49A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APL602LG
仓库库存编号:
APL602LG-ND
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IXYS
DIODE MODULE 600V 120A SOT227B
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 120A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
DSEC240-06A
仓库库存编号:
DSEC240-06A-ND
别名:Q1126779
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 33A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE36N100
仓库库存编号:
IXFE36N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 400V 240A TO244
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400V 240A Screw Mount TO-244AB
型号:
VS-HFA240NJ40CPBF
仓库库存编号:
VS-HFA240NJ40CPBF-ND
别名:HFA240NJ40CPBF
HFA240NJ40CPBF-ND
Q7077177
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