产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 100A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN110N20L2
仓库库存编号:
IXTN110N20L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 550V 72A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN72N55Q2
仓库库存编号:
IXFN72N55Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 158A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE180N20
仓库库存编号:
IXFE180N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 85A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN79N20
仓库库存编号:
IXTN79N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1500V 7.5A(Tc) 545W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN8N150L
仓库库存编号:
IXTN8N150L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 8V 200A SOT227B
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 8V 200A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
DSS2X200-0008D
仓库库存编号:
DSS2X200-0008D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 87A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 600V 87A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
VS-UFB130FA60
仓库库存编号:
VS-UFB130FA60-ND
别名:VSUFB130FA60
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 92A 400W SMPD
详细描述:IGBT 1200V 92A 400W Surface Mount SMPD
型号:
MMIX1Y100N120C3H1
仓库库存编号:
MMIX1Y100N120C3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE80N50
仓库库存编号:
IXFE80N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 24A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL32N120P
仓库库存编号:
IXFL32N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 22A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12057B2FLLG
仓库库存编号:
APT12057B2FLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 3000V 42A 357W TO268
详细描述:IGBT 3000V 104A 500W Surface Mount TO-268
型号:
IXBT42N300HV
仓库库存编号:
IXBT42N300HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 30A(Tc) 694W(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F44N100Q3
仓库库存编号:
MMIX1F44N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1100V 25A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN30N110P
仓库库存编号:
IXFN30N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 73A(Tc) 893W(Tc) 264 MAX? [L2]
型号:
APT60M75L2LLG
仓库库存编号:
APT60M75L2LLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 23A(Tc) 595W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N100P
仓库库存编号:
IXFN26N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 540W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN17N120L
仓库库存编号:
IXTN17N120L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 23A(Tc) 695W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N120P
仓库库存编号:
IXFN26N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 73A(Tc) 893W(Tc) 264 MAX? [L2]
型号:
APT60M75L2FLLG
仓库库存编号:
APT60M75L2FLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 38A(Tc) 960W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N100Q3
仓库库存编号:
IXFN44N100Q3-ND
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STMicroelectronics
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 250mA 945MHz 14.5dB 45W 10-PowerSO
型号:
PD57045-E
仓库库存编号:
PD57045-E-ND
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IXYS
IGBT 3000V 27A 114W I4-PAK
详细描述:IGBT 3000V 27A 114W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXGF25N300
仓库库存编号:
IXGF25N300-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 2500V TO247AD
详细描述:IGBT 2500V Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号:
IXBH14N250A
仓库库存编号:
IXBH14N250A-ND
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Microsemi Corporation
RF FET N CH 450V 15A TO247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 150V 40.68MHz 15dB 140W TO-247
型号:
ARF448BG
仓库库存编号:
ARF448BG-ND
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Microsemi Corporation
RF FETS N CH 450V 15A TO247
详细描述:RF Mosfet N-Channel 150V 40.68MHz 15dB 230W TO-247
型号:
ARF448AG
仓库库存编号:
ARF448AG-ND
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