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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN38N80Q2
  仓库库存编号：IXFN38N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN20N120P
  仓库库存编号：IXFN20N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 20A（Tc） 1250W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK20N150
  仓库库存编号：IXTK20N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 2500V TO247AD
  详细描述：IGBT 2500V Through Hole TO-247AD (IXBH)
  
  型号：IXBH14N250
  仓库库存编号：IXBH14N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 44A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL44N80
  仓库库存编号：IXFL44N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  DIODE MODULE 400V 120A SOT227B
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400V 120A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：DSEC240-04A
  仓库库存编号：DSEC240-04A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT30M40JVFR
  仓库库存编号：APT30M40JVFR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 235A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 235A（Tc） 680W（Tc） 24-SMPD
  
  型号：MMIX1F360N15T2
  仓库库存编号：MMIX1F360N15T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 334A（Tc） 680W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F420N10T
  仓库库存编号：MMIX1F420N10T-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 44A（Tc） 380W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXKN45N80C
  仓库库存编号：IXKN45N80C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 70A（Tc） 600W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE70NM60
  仓库库存编号：497-3173-5-ND
  别名：497-3173-5
  
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  MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 170A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N10
  仓库库存编号：IXFN170N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50Q2
  仓库库存编号：IXFN80N50Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 550A（Tc） 830W（Tc） 24-SMPD
  
  型号：MMIX1T550N055T2
  仓库库存编号：MMIX1T550N055T2-ND
  
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  MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 21A（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL40N110P
  仓库库存编号：IXFL40N110P-ND
  
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  IGBT 3000V 22A 100W I4-PAK
  详细描述：IGBT 3000V 22A 100W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF20N300
  仓库库存编号：IXGF20N300-ND
  
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  IGBT 2500V 23A 100W I4-PAK
  详细描述：IGBT 2500V 23A 100W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXGF20N250
  仓库库存编号：IXGF20N250-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 39A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT6013JLL
  仓库库存编号：APT6013JLL-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 60V 340A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN340N06
  仓库库存编号：IXFN340N06-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 63A（Tc） 520W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F132N50P3
  仓库库存编号：MMIX1F132N50P3-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB38N100Q2
  仓库库存编号：IXFB38N100Q2-ND
  
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  IGBT 2500V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT NPT 2500V 60A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH25N250
  仓库库存编号：IXGH25N250-ND
  别名：Q5013269
  
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  MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
  详细描述：底座安装 P 沟道 200V 106A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN120P20T
  仓库库存编号：IXTN120P20T-ND
  
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
  详细描述：底座安装 P 沟道 100V 210A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN210P10T
  仓库库存编号：IXTN210P10T-ND
  
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• Analog Devices Inc.
  TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 36V 20mA 190MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT03EHZ
  仓库库存编号：MAT03EHZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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