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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 28A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10035B2FLLG
  仓库库存编号：APT10035B2FLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 24A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN24N90Q
  仓库库存编号：IXFN24N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 138A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N30P
  仓库库存编号：IXFN170N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 295A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN300N10P
  仓库库存编号：IXFN300N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT12057LFLLG
  仓库库存编号：APT12057LFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 32A（Tc） 520AW（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N60
  仓库库存编号：IXFN32N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN21N100
  仓库库存编号：IXTN21N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 41A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE48N50QD2
  仓库库存编号：IXFE48N50QD2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 41A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE48N50QD3
  仓库库存编号：IXFE48N50QD3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 50A（Tc） 1135W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB50N80Q2
  仓库库存编号：IXFB50N80Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 40A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB40N110P
  仓库库存编号：IXFB40N110P-ND
  
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  MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 47A Through Hole ISOPLUS264?
  
  型号：LKK47-06C5
  仓库库存编号：LKK47-06C5-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT8020B2LLG
  仓库库存编号：APT8020B2LLG-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 65A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX? [L2]
  
  型号：APT60M80L2VRG
  仓库库存编号：APT60M80L2VRG-ND
  
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• STMicroelectronics
  FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 250mA 945MHz 14.5dB 45W PowerSO-10RF (Straight Lead)
  
  型号：PD57045S-E
  仓库库存编号：PD57045S-E-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 39A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE44N50QD2
  仓库库存编号：IXFE44N50QD2-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 39A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE44N50QD3
  仓库库存编号：IXFE44N50QD3-ND
  
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• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1200V 93A Chassis Mount ISOTOP
  
  型号：APT2X100D120J
  仓库库存编号：APT2X100D120J-ND
  别名：APT2X100D120JMI
  APT2X100D120JMI-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 31A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT29F80J
  仓库库存编号：APT29F80J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXFL30N120P
  仓库库存编号：IXFL30N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Ampleon USA Inc.
  RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 10mA 2.45GHz 19dB 12W CDFM2
  
  型号：BLF25M612G,112
  仓库库存编号：BLF25M612G,112-ND
  别名：934066221112
  
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• Ampleon USA Inc.
  RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 10mA 2.45GHz 19dB 12W CDFM2
  
  型号：BLF25M612,112
  仓库库存编号：BLF25M612,112-ND
  别名：934066219112
  
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  MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 102A（Tc） 570W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F160N30T
  仓库库存编号：MMIX1F160N30T-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 132A（Tc） 570W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F180N25T
  仓库库存编号：MMIX1F180N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 168A（Tc） 600W（Tc） SMPD
  
  型号：MMIX1F230N20T
  仓库库存编号：MMIX1F230N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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