产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 290W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N100P
仓库库存编号:
IXFR26N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 240A 830W PLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX120N120A3
仓库库存编号:
IXGX120N120A3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
DIODE SCHOTTKY 100V 300A SOT227B
详细描述:肖特基 底座安装 二极管 100V 300A SOT-227B
型号:
DSA300I100NA
仓库库存编号:
DSA300I100NA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC SCHOTTKY DIODE1200V 60A TO24
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 182A(DC) TO-247-2
型号:
GP2D060A120B
仓库库存编号:
GP2D060A120B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC SCHOTTKY RECTIFIER
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 94A (DC) Through Hole TO-247-3
型号:
GP2D060A120U
仓库库存编号:
GP2D060A120U-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL44N60
仓库库存编号:
IXFL44N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 125V 100A ISOTOP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 125V 100A 250W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
BUT30V
仓库库存编号:
497-7212-5-ND
别名:497-7212-5
BUT30V-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN40N60C
仓库库存编号:
IXKN40N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 41A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE44N60
仓库库存编号:
IXFE44N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 30A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N110P
仓库库存编号:
IXFX30N110P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 47A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE55N50
仓库库存编号:
IXFE55N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
DIODE MODULE 1.2KV 91A ECO-PAC2
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 1200V 91A Chassis Mount ECO-PAC2
型号:
DSEI2X101-12P
仓库库存编号:
DSEI2X101-12P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 600V 60A 220W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 60A 220W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH30N60C3C1
仓库库存编号:
IXGH30N60C3C1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
DIODE MODULE 200V 120A SOT227B
详细描述:Diode Array 2 Independent Schottky 200V 120A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
DSA240X200NA
仓库库存编号:
DSA240X200NA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 15A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N120P
仓库库存编号:
IXFR26N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK38N80Q2
仓库库存编号:
IXFK38N80Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX38N80Q2
仓库库存编号:
IXFX38N80Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 27A(Tc) 690W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N100P
仓库库存编号:
IXFN32N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1.2KV 20A
详细描述:通孔 1200V 20A(Tc) 282W(Tc) TO-247AB
型号:
GA20JT12-247
仓库库存编号:
1242-1188-ND
别名:1242-1188
GA20JT12247
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN21N100Q
仓库库存编号:
IXFN21N100Q-ND
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IXYS
MOD THYRISTOR DUAL 1600V SOT-227
详细描述:SCR Module 1600V 126A Series Connection - SCR/Diode Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
CMA80PD1600NA
仓库库存编号:
CMA80PD1600NA-ND
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IXYS
IGBT 3000V 30A 160W TO268
详细描述:IGBT 3000V 30A 160W Surface Mount TO-268
型号:
IXBT12N300HV
仓库库存编号:
IXBT12N300HV-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 600A(Tc) 830W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1T600N04T2
仓库库存编号:
MMIX1T600N04T2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 700W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL60N60
仓库库存编号:
IXFL60N60-ND
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IXYS
MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM120-0075P3-SL
仓库库存编号:
GWM120-0075P3-SL-ND
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