产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1000V 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
APT2X100DQ100J
仓库库存编号：
APT2X100DQ100J-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 48A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN48N50Q
仓库库存编号：
IXFN48N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 84A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT84F50L
仓库库存编号：
APT84F50L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX26N100P
仓库库存编号：
IXFX26N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 800V 47A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT44F80B2
仓库库存编号：
APT44F80B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 52A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK52N60Q2
仓库库存编号：
IXFK52N60Q2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 52A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX52N60Q2
仓库库存编号：
IXFX52N60Q2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 510A 2300W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 510A 2300W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXXX300N60C3
仓库库存编号：
IXXX300N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 29A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
型号：
IXFL38N100P
仓库库存编号：
IXFL38N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
DIODE GP 1.6KV 150A SOT227B
详细描述：标准 底座安装 二极管 1600V 150A SOT-227B
型号：
DMA150E1600NA
仓库库存编号：
DMA150E1600NA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK170N10
仓库库存编号：
IXFK170N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227B
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1200V 50A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
DHG100X1200NA
仓库库存编号：
DHG100X1200NA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 26A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK26N100P
仓库库存编号：
IXFK26N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 10A (DC) Through Hole TO-220-3 Full Pack
型号：
RJS6004WDPK-00#T0
仓库库存编号：
RJS6004WDPK-00#T0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 44A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N50Q
仓库库存编号：
IXFN44N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 250W（Tc） ISO264?
型号：
IXKG25N80C
仓库库存编号：
IXKG25N80C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 550A 2300W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 550A 2300W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号：
IXXK300N60B3
仓库库存编号：
IXXK300N60B3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 510A 2300W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 510A 2300W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号：
IXXK300N60C3
仓库库存编号：
IXXK300N60C3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1200V 200A 830W TO264
详细描述：IGBT PT 1200V 200A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号：
IXGK120N120B3
仓库库存编号：
IXGK120N120B3-ND
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 220A 536W TO-264L
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L]
型号：
APT150GN60LDQ4G
仓库库存编号：
APT150GN60LDQ4G-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 26A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX26N120P
仓库库存编号：
IXFX26N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
DIODE ARRAY 200V 120A SOT227B
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 200V 120A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
DPF240X200NA
仓库库存编号：
DPF240X200NA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN100N20
仓库库存编号：
IXFN100N20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 250A 730W SOT-227B
型号：
IXTE250N10
仓库库存编号：
IXTE250N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 600V 150A 400W ISOPLUS264
详细描述：IGBT PT 600V 150A 400W Through Hole ISOPLUS264?
型号：
IXGL200N60B3
仓库库存编号：
IXGL200N60B3-ND
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