以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 90A（Tc） 595W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR120P20T
  仓库库存编号：IXTR120P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 195A（Tc） 595W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR210P10T
  仓库库存编号：IXTR210P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 400V 30A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 400V 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：APT2X30D40J
  仓库库存编号：APT2X30D40J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 300V 30A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 300V 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：APT2X31D30J
  仓库库存编号：APT2X31D30J-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 176A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE180N10
  仓库库存编号：IXFE180N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 70A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT66F60L
  仓库库存编号：APT66F60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N10
  仓库库存编号：IXTH60N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 1250W Through Hole PLUS264?
  
  型号：IXGB200N60B3
  仓库库存编号：IXGB200N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  FET RF 40V 870MHZ POWERSO10
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 870MHz 15dB ~ 17dB 35W PowerSO-10RF (Formed Lead)
  
  型号：PD85035A-E
  仓库库存编号：PD85035A-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 1.2KV 30A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1200V 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：APT2X30DQ120J
  仓库库存编号：APT2X30DQ120J-ND
  别名：APT2X30DQ120JMI
  APT2X30DQ120JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） 357W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL44N100P
  仓库库存编号：IXFL44N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 400W（Tc） ISO264?
  
  型号：IXFG55N50
  仓库库存编号：IXFG55N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 55A（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL55N50
  仓库库存编号：IXFL55N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 210A（Tc） 1500W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB210N20P
  仓库库存编号：IXFB210N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 300A（Tc） 1500W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB300N10P
  仓库库存编号：IXFB300N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR55N50
  仓库库存编号：IXFR55N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 170A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB170N30P
  仓库库存编号：IXFB170N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRANS NPN 2200V 7A ISOTOP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Emitter Switched Bipolar 2200V 7A 220W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：STE07DE220
  仓库库存编号：497-8777-5-ND
  别名：497-8777-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 400V 100A Chassis Mount ISOTOP
  
  型号：STTH200R04TV1
  仓库库存编号：497-12803-5-ND
  别名：497-12803-5
  STTH200R04TV1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX200N10L2
  仓库库存编号：IXTX200N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MODULE DIODE 400V SOT-227
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 400V 120A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：VS-UFB211FA40
  仓库库存编号：VS-UFB211FA40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80P
  仓库库存编号：IXFN44N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 66A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE73N30Q
  仓库库存编号：IXFE73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 135A 781W TMAX
  详细描述：IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
  
  型号：APT50GF120B2RG
  仓库库存编号：APT50GF120B2RG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 50A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50PD3
  仓库库存编号：IXFN64N50PD3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索