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• IXYS
  IGBT 300V 400A TO264AA
  详细描述：IGBT 300V 400A Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK400N30C3
  仓库库存编号：IXGK400N30C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 100V 250A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 250A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK250N10P
  仓库库存编号：IXFK250N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  IGBT 3000V
  详细描述：IGBT 3000V 50A 417W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
  
  型号：IXBL20N300C
  仓库库存编号：IXBL20N300C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  DIODE MODULE 1.2KV 28A SOT227B
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1200V 28A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：DSEI2X30-12B
  仓库库存编号：DSEI2X30-12B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V SMPD
  详细描述：Diode Array 2 Independent Schottky 200V 65A Surface Mount 9-SMD Module
  
  型号：DSA120X200LB
  仓库库存编号：DSA120X200LB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK73N30
  仓库库存编号：IXFK73N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 73A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK73N30Q
  仓库库存编号：IXFK73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 34A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50Q
  仓库库存编号：IXFR44N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N25
  仓库库存编号：IXFX120N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 97A（Tc） 862W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT97N65LC6
  仓库库存编号：APT97N65LC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  IGBT 600V 500A 1700W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 500A 1700W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX320N60B3
  仓库库存编号：IXGX320N60B3-ND
  
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  DIODE ARRAY GP 1200V 60A I4PAC
  详细描述：Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 60A Through Hole i4-Pac?-3
  
  型号：DSEE55-24N1F
  仓库库存编号：DSEE55-24N1F-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 75A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT75M50B2
  仓库库存编号：APT75M50B2-ND
  别名：APT75M50B2MI
  APT75M50B2MI-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 32A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N100P
  仓库库存编号：IXFK32N100P-ND
  
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  IGBT 1200V 90A ISOPLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 90A Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR45N120
  仓库库存编号：IXGR45N120-ND
  
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  IGBT 600V 500A 1700W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 500A 1700W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK320N60B3
  仓库库存编号：IXGK320N60B3-ND
  
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  DIODE MODULE 400V 60A SOT227B
  详细描述：标准 底座安装 二极管 400V 60A SOT-227B
  
  型号：DPF60XA400NA
  仓库库存编号：DPF60XA400NA-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 120A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK120N25
  仓库库存编号：IXFK120N25-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK150N15
  仓库库存编号：IXFK150N15-ND
  
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  IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
  详细描述：IGBT 1200V 70A 350W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK35N120CD1
  仓库库存编号：IXGK35N120CD1-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  SIC SCHOTTKY RECTIFIER
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 65A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：GP2D040A120U
  仓库库存编号：GP2D040A120U-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
  详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak
  
  型号：APT25GR120SSCD10
  仓库库存编号：APT25GR120SSCD10-ND
  
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  MOSFET N-CH 900V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 16A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH16N90Q
  仓库库存编号：IXFH16N90Q-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 32A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT31M100B2
  仓库库存编号：APT31M100B2-ND
  
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  MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 70V 180A（Tc） 417W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR180N07
  仓库库存编号：IXFR180N07-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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