产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK72N60A3H1
仓库库存编号:
IXGK72N60A3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT TO264
详细描述:IGBT Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK72N60C3H1
仓库库存编号:
IXGK72N60C3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF
详细描述:RF Mosfet LDMOS 13.6V 200mA 870MHz 17dB 6W 10-PowerSO
型号:
PD85006-E
仓库库存编号:
497-10293-5-ND
别名:497-10293-5
PD85006E
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 543W D3PAK
详细描述:IGBT PT 600V 100A 543W Surface Mount D3 [S]
型号:
APT40GP60SG
仓库库存编号:
APT40GP60SG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 60A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR102N30P
仓库库存编号:
IXFR102N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 90A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR140N20P
仓库库存编号:
IXFR140N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 100A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR180N15P
仓库库存编号:
IXFR180N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 133A(Tc) 300W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR200N10P
仓库库存编号:
IXFR200N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR72N60C3D1
仓库库存编号:
IXGR72N60C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1000V 40A 150W TO220
详细描述:IGBT PT 1000V 40A 150W Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP20N100
仓库库存编号:
IXGP20N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50Q
仓库库存编号:
IXFH30N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50
仓库库存编号:
IXFH30N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N50
仓库库存编号:
IXFT30N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 30A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N50Q
仓库库存编号:
IXFT30N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 25A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR30N25
仓库库存编号:
IXTR30N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 13A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH13N90
仓库库存编号:
IXFH13N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 150V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK80N15Q
仓库库存编号:
IXFK80N15Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 60A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY60NK30Z
仓库库存编号:
497-4432-5-ND
别名:497-4432-5
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT58N20Q
仓库库存编号:
IXFT58N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 58A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT58N20
仓库库存编号:
IXFT58N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 88A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH88N20Q
仓库库存编号:
IXFH88N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 600V 190A 830W TO247AD
详细描述:IGBT PT 600V 190A 830W Through Hole TO-247 (IXXH)
型号:
IXXH100N60C3
仓库库存编号:
IXXH100N60C3-ND
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IXYS
IGBT 600V 65A 200W I4PAC5
详细描述:IGBT NPT 600V 65A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FID60-06D
仓库库存编号:
FID60-06D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60L2
仓库库存编号:
IXTQ30N60L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 14A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N80
仓库库存编号:
IXFH14N80-ND
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