产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1200V 78A 325W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 78A 325W Through Hole TO-247AD (HB)
型号:
IXA45IF1200HB
仓库库存编号:
IXA45IF1200HB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 117A 694W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264
型号:
APT50GR120L
仓库库存编号:
APT50GR120L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 16A 190W TO247
详细描述:IGBT NPT 1700V 16A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH16N170A
仓库库存编号:
IXGH16N170A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT6N100Q
仓库库存编号:
IXFT6N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 1.4KV 60A TO247AD
详细描述:标准 通孔 二极管 1400V 60A TO-247AD
型号:
DH60-14A
仓库库存编号:
DH60-14A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 220A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 170V 220A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK220N17T2
仓库库存编号:
IXFK220N17T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT24M80B
仓库库存编号:
APT24M80B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 23A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT22F80S
仓库库存编号:
APT22F80S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 160A 750W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 160A 750W Through Hole TO-247 (IXXH)
型号:
IXXH75N60B3D1
仓库库存编号:
IXXH75N60B3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 66A 416W TO247
详细描述:IGBT 1200V 66A 416W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH30N120C3D1
仓库库存编号:
IXYH30N120C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO247-3
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 650V 20A(DC) PG-TO247-3
型号:
IDW20G65C5XKSA1
仓库库存编号:
IDW20G65C5XKSA1-ND
别名:SP001632900
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-264
型号:
APT30GP60LDLG
仓库库存编号:
APT30GP60LDLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 58A 195W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 58A 195W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXA37IF1200HJ
仓库库存编号:
IXA37IF1200HJ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 2A(Tc) 290W(Tc) TO-247
型号:
IXTH2N150L
仓库库存编号:
IXTH2N150L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1700V 32A 190W TO268
详细描述:IGBT NPT 1700V 32A 190W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT16N170
仓库库存编号:
IXGT16N170-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1000V 40A 150W TO268
详细描述:IGBT PT 1000V 40A 150W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT20N100
仓库库存编号:
IXGT20N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N20
仓库库存编号:
IXFT50N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1200V 48A ISOPLUS247
详细描述:IGBT 1200V 48A Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR24N120C3H1
仓库库存编号:
IXGR24N120C3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 75A 400W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK50N60B2D1
仓库库存编号:
IXGK50N60B2D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 600V 75A 480W TO264AA
详细描述:IGBT PT 600V 75A 480W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK50N60C2D1
仓库库存编号:
IXGK50N60C2D1-ND
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IXYS
IGBT 300V 48A TO247AD
详细描述:IGBT 300V 48A Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH240N30PB
仓库库存编号:
IXGH240N30PB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
DIODE GEN PURP 1.6KV 60A TO247AD
详细描述:标准 通孔 二极管 1600V 60A TO-247AD
型号:
DH60-16A
仓库库存编号:
DH60-16A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 34A(Tc) 417W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT34N80LC3G
仓库库存编号:
APT34N80LC3G-ND
别名:APT34N80LC3GMI
APT34N80LC3GMI-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 120A(Tc) 890W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH120N25T
仓库库存编号:
IXFH120N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 94A(Tc) 890W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH94N30T
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IXFH94N30T-ND
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