产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 650V 8A(DC) TO-220-2L
型号:
TRS8E65C,S1Q
仓库库存编号:
TRS8E65CS1Q-ND
别名:TRS8E65C,S1Q(S
TRS8E65CS1Q
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N50Q
仓库库存编号:
IXFT26N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT26N50
仓库库存编号:
IXFT26N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 440A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 440A(Tc) 1000W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH440N055T2
仓库库存编号:
IXTH440N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD (IXDH)
型号:
IXDH30N120
仓库库存编号:
IXDH30N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 18A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT17F80B
仓库库存编号:
APT17F80B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE INPUT 60A 1000V TO-247
详细描述:标准 通孔 二极管 1000V 60A TO-247AC
型号:
VS-60APF10PBF
仓库库存编号:
VS-60APF10PBF-ND
别名:VS60APF10PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N50Q
仓库库存编号:
IXFR24N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) 250W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N50
仓库库存编号:
IXFR24N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE INPUT 60A 600V TO-247
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 60A TO-247AC
型号:
VS-60APF06PBF
仓库库存编号:
VS-60APF06PBF-ND
别名:VS60APF06PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 360A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK360N10T
仓库库存编号:
IXFK360N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 24A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT24N50Q
仓库库存编号:
IXFT24N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 72A 417W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GP90BDQ1G
仓库库存编号:
APT25GP90BDQ1G-ND
别名:APT25GP90BDQ1GMI
APT25GP90BDQ1GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 600V 150A 750W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 150A 750W Through Hole TO-247AD
型号:
IXXH75N60C3D1
仓库库存编号:
IXXH75N60C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 650V 20A(DC) PG-TO220-2-1
型号:
IDH20G65C5XKSA2
仓库库存编号:
IDH20G65C5XKSA2-ND
别名:SP001632412
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXTT16N10D2
仓库库存编号:
IXTT16N10D2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-247
型号:
IXFH50N60X
仓库库存编号:
IXFH50N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
THYRISTOR PHASE 1400V ISOPLUS247
详细描述:SCR 1400V 75A Standard Recovery Through Hole PLUS247?-3
型号:
CS60-14IO1
仓库库存编号:
CS60-14IO1-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE INPUT 60A 400V TO-247
详细描述:标准 通孔 二极管 400V 60A TO-247AC
型号:
VS-60APF04PBF
仓库库存编号:
VS-60APF04PBF-ND
别名:VS60APF04PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 170V 220A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX220N17T2
仓库库存编号:
IXFX220N17T2-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 500V 13A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR20P50P
仓库库存编号:
IXTR20P50P-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 57A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR90P10P
仓库库存编号:
IXTR90P10P-ND
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STMicroelectronics
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V MAX247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 40A Through Hole TO-247-3
型号:
STPS80H100CY
仓库库存编号:
497-2724-5-ND
别名:497-2724-5
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 67A 272W TMAX
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole
型号:
APT25GN120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT25GN120B2DQ2G-ND
别名:APT25GN120B2DQ2GMI
APT25GN120B2DQ2GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole T-MAX?
型号:
APT30GP60B2DLG
仓库库存编号:
APT30GP60B2DLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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