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• IXYS
  IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 1200V 48A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH30N120C3H1
  仓库库存编号：IXGH30N120C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR15N100P
  仓库库存编号：IXFR15N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
  详细描述：IGBT 1000V 34A 150W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH17N100
  仓库库存编号：IXGH17N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 1200V 30A 180W TO268
  详细描述：IGBT PT 1200V 30A 180W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT15N120B
  仓库库存编号：IXGT15N120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N60X
  仓库库存编号：IXFT50N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 70A 290W TO247
  详细描述：IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG40N60B3
  仓库库存编号：HGTG40N60B3FS-ND
  别名：HGTG40N60B3-ND
  HGTG40N60B3FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 150V 70A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 70A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT70N15
  仓库库存编号：IXFT70N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N90A
  仓库库存编号：IXTH6N90A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK100N25P
  仓库库存编号：IXTK100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK120N20P
  仓库库存编号：IXTK120N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK150N15P
  仓库库存编号：IXTK150N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 300V 88A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 88A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK88N30P
  仓库库存编号：IXTK88N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Rohm Semiconductor
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 5A（DC） TO-220AC
  
  型号：SCS105KGC
  仓库库存编号：SCS105KGC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N120
  仓库库存编号：IXTH6N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT6N120
  仓库库存编号：IXTT6N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N25
  仓库库存编号：IXTH60N25-ND
  
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  IGBT 600V 120A 600W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 120A 600W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH50N60B3D1
  仓库库存编号：IXXH50N60B3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 600V 150A 750W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 150A 750W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH75N60C3
  仓库库存编号：IXXH75N60C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W5,S1F
  仓库库存编号：TK35N65W5S1F-ND
  别名：TK35N65W5,S1F(S
  TK35N65W5,S1F-ND
  TK35N65W5S1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 20A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N100P
  仓库库存编号：IXFH20N100P-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT14F100S
  仓库库存编号：APT14F100S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG73N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG73N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH58N20Q
  仓库库存编号：IXFH58N20Q-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 66A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH66N20Q
  仓库库存编号：IXFH66N20Q-ND
  
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  IGBT 300V 240A 500W TO3P
  详细描述：IGBT 300V 240A 500W Through Hole TO-3P
  
  型号：IXGQ240N30PB
  仓库库存编号：IXGQ240N30PB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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