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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 17A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB18N50K
  仓库库存编号：IRFB18N50K-ND
  别名：*IRFB18N50K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A 463W TO247
  详细描述：IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH50N6S2D
  仓库库存编号：FGH50N6S2D-ND
  别名：FGH50N6S2D_NL
  FGH50N6S2D_NL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK36N60P
  仓库库存编号：IXFK36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 5A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH5N100A
  仓库库存编号：IXTH5N100A-ND
  别名：Q917004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ24N50Q
  仓库库存编号：IXFQ24N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT17F80S
  仓库库存编号：APT17F80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• STMicroelectronics
  IGBT BIPO 650V 80A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L
  
  型号：STGW80H65DFB-4
  仓库库存编号：STGW80H65DFB-4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 1700V 20A 140W TO268
  详细描述：IGBT 1700V 20A 140W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT10N170
  仓库库存编号：IXBT10N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT69N30P
  仓库库存编号：IXFT69N30P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH24N50
  仓库库存编号：IXTH24N50-ND
  别名：Q2768977
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR36N50P
  仓库库存编号：IXFR36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N60P
  仓库库存编号：IXFR30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10P60
  仓库库存编号：IXTT10P60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 37A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT37F50S
  仓库库存编号：APT37F50S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 72A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP90BG
  仓库库存编号：APT25GP90BG-ND
  别名：APT25GP90BGMI
  APT25GP90BGMI-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE HEXFRED 30A 1200V TO-247AC
  详细描述：标准 通孔 二极管 1200V 30A TO-247AC 改进型
  
  型号：VS-HFA30PB120HN3
  仓库库存编号：VS-HFA30PB120HN3-ND
  别名：VSHFA30PB120HN3
  
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• IXYS
  DIODE GEN PURP 1.4KV 63A TO247AD
  详细描述：标准 通孔 二极管 1400V 63A TO-247AD
  
  型号：DSDI60-14A
  仓库库存编号：DSDI60-14A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 16A（Tc） 695W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT16N50D2
  仓库库存编号：IXTT16N50D2-ND
  
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  MOD THYRISTOR DUAL 1600V I4-PAC
  详细描述：SCR Module 1600V 47A Series Connection - All SCRs Through Hole i4-Pac?-5
  
  型号：CMA30P1600FC
  仓库库存编号：CMA30P1600FC-ND
  
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  IGBT 1200V 48A 200W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 1200V 48A 200W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXGR24N120C3D1
  仓库库存编号：IXGR24N120C3D1-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA47N60
  仓库库存编号：FCA47N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FCA47N60_F109
  仓库库存编号：FCA47N60_F109FS-ND
  别名：FCA47N60_F109-ND
  FCA47N60_F109FS
  FCA47N60F109
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28A（Tc） 375W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH28N50Q
  仓库库存编号：IXFH28N50Q-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 695W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IXTH16N50D2
  仓库库存编号：IXTH16N50D2-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N80P
  仓库库存编号：IXFT24N80P-ND
  
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