以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOD THYRISTOR DUAL 1200V I4-PAC
  详细描述：SCR Module 1200V 63A Series Connection - All SCRs Through Hole i4-Pac?-5
  
  型号：CLA40P1200FC
  仓库库存编号：CLA40P1200FC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 6A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N150
  仓库库存编号：IXTH6N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 420A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 420A（Tc） 935W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH420N04T2
  仓库库存编号：IXTH420N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2.5A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTJ4N150
  仓库库存编号：IXTJ4N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT36N50P
  仓库库存编号：IXTT36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT30N60P
  仓库库存编号：IXTT30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT NPT 600V 38A 125W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXDR35N60BD1
  仓库库存编号：IXDR35N60BD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N120
  仓库库存编号：IXFH6N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT21N50Q
  仓库库存编号：IXFT21N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 30A 150W TO268
  详细描述：IGBT 1200V 30A 150W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT15N120CD1
  仓库库存编号：IXGT15N120CD1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ100N25P
  仓库库存编号：IXTQ100N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 120A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ120N20P
  仓库库存编号：IXTQ120N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 150A（Tc） 714W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ150N15P
  仓库库存编号：IXTQ150N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N90
  仓库库存编号：IXTH6N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 900V 75A 400W TO264
  详细描述：IGBT PT 900V 75A 400W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK50N90B2D1
  仓库库存编号：IXGK50N90B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK170N10P
  仓库库存编号：IXTK170N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 58A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 58A 250W Through Hole TO-247AD (HB)
  
  型号：IXA33IF1200HB
  仓库库存编号：IXA33IF1200HB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 80A TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 882W Through Hole TO-247
  
  型号：FGY40T120SMD
  仓库库存编号：FGY40T120SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 360A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 360A（Tc） 935W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT360N055T2
  仓库库存编号：IXTT360N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1400V 42A 250W TO268
  详细描述：IGBT PT 1400V 42A 250W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT20N140C3H1
  仓库库存编号：IXGT20N140C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT BIPO 650V 80A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L
  
  型号：STGW80H65FB-4
  仓库库存编号：STGW80H65FB-4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N80P
  仓库库存编号：IXFK24N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH7N90Q
  仓库库存编号：IXFH7N90Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170A（Tc） 715W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT170N10P
  仓库库存编号：IXTT170N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 1200V 48A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH24N120C3H1
  仓库库存编号：IXGH24N120C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
• 
  
  无铅
• 搜索