产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-247AD（IXKH）
型号：
IXKH35N60C5
仓库库存编号：
IXKH35N60C5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 69A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH69N30P
仓库库存编号：
IXFH69N30P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 380W TO268
详细描述：IGBT PT 600V 75A 380W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT60N60C3D1
仓库库存编号：
IXGT60N60C3D1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 313W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-247
型号：
FGH25N120FTDS
仓库库存编号：
FGH25N120FTDS-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 658W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ44N50P
仓库库存编号：
IXTQ44N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO247
详细描述：IGBT 1200V 40A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH20N120BD1
仓库库存编号：
IXGH20N120BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK31J60W5,S1VQ
仓库库存编号：
TK31J60W5S1VQ-ND
别名：TK31J60W5,S1VQ(O
TK31J60W5S1VQ
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 60A 534W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 534W Through Hole TO-247
型号：
NGTB30N120L2WG
仓库库存编号：
NGTB30N120L2WGOS-ND
别名：NGTB30N120L2WGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO247
详细描述：IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT15GP90BG
仓库库存编号：
APT15GP90BG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 96A 416W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT54GA60BD30
仓库库存编号：
APT54GA60BD30-ND
别名：APT54GA60BD30MI
APT54GA60BD30MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE SCHOTTKY 650V TO-247
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 650V 20A TO-247
型号：
STPSC40065CWY
仓库库存编号：
STPSC40065CWY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
1200V SIC SBD 15A
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 15A（DC） TO-220-2
型号：
FFSP15120A
仓库库存编号：
FFSP15120A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 30A 150W TO268
详细描述：IGBT 1200V 30A 150W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT15N120BD1
仓库库存编号：
IXGT15N120BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 56A 250W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247
型号：
APT15GP60BDLG
仓库库存编号：
APT15GP60BDLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH75N15
仓库库存编号：
IXTH75N15-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3
详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 650V 16A（DC） PG-TO247-3
型号：
IDW16G65C5XKSA1
仓库库存编号：
IDW16G65C5XKSA1-ND
别名：SP001632898
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH21N50Q
仓库库存编号：
IXFH21N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1700V 12A 75W TO268
详细描述：IGBT 1700V 12A 75W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT6N170
仓库库存编号：
IXBT6N170-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 900V 51A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH28N90B
仓库库存编号：
IXGH28N90B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 1200V 10A TO-252
型号：
GB10SLT12-252
仓库库存编号：
1242-1140-ND
别名：1242-1140
GB10SLT12252
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1200V 75A 400W TO3P
详细描述：IGBT 1200V 75A 400W Through Hole TO-3P
型号：
IXGQ35N120BD1
仓库库存编号：
IXGQ35N120BD1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT24P20
仓库库存编号：
IXTT24P20-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT14F100B
仓库库存编号：
APT14F100B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-220AB
型号：
IXKP35N60C5
仓库库存编号：
IXKP35N60C5-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 16A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH16N10D2
仓库库存编号：
IXTH16N10D2-ND
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