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• Toshiba Semiconductor and Storage
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 8A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：TRS16N65D,S1F
  仓库库存编号：TRS16N65DS1F-ND
  别名：TRS16N65D,S1F(S
  TRS16N65DS1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ480P2
  仓库库存编号：IXTQ480P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE SCHOTTKY 35V 40A D61
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40A Chassis Mount D-61-8
  
  型号：VS-81CNQ035APBF
  仓库库存编号：VS-81CNQ035APBF-ND
  别名：VS81CNQ035APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXDH20N120
  仓库库存编号：IXDH20N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND
  别名：TK31E60W,S1VX(S
  TK31E60WS1VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK31A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK31A60WS4VX-ND
  别名：TK31A60W,S4VX(M
  TK31A60WS4VX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 900V 64A 300W TO268
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT32N90B2D1
  仓库库存编号：IXGT32N90B2D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT4N100Q
  仓库库存编号：IXFT4N100Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH32P20T
  仓库库存编号：IXTH32P20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 41A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT13GP120BG
  仓库库存编号：APT13GP120BG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 379W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N60EF-GE3-ND
  
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• IXYS
  IGBT 1200V 40A 150W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH20N120
  仓库库存编号：IXGH20N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 45A 195W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GN120BDQ1G
  仓库库存编号：APT15GN120BDQ1G-ND
  别名：APT15GN120BDQ1GMI
  APT15GN120BDQ1GMI-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT120N15P
  仓库库存编号：IXFT120N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT140N10P
  仓库库存编号：IXFT140N10P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 96A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT96N20P
  仓库库存编号：IXFT96N20P-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 41A TO-247A
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH41N25
  仓库库存编号：IXTH41N25-ND
  
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• IXYS
  IGBT 650V 120A 455W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXXH40N65B4H1
  仓库库存编号：IXXH40N65B4H1-ND
  
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• IXYS
  IGBT 1200V 40A 150W TO263
  详细描述：IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA20N120B
  仓库库存编号：IXGA20N120B-ND
  
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  IGBT 1700V 10A 140W TO268
  详细描述：IGBT NPT Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT10N170A
  仓库库存编号：IXGT10N170A-ND
  
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  IGBT 1200V 28A 100W TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXA17IF1200HJ
  仓库库存编号：IXA17IF1200HJ-ND
  
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  MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV20N80P
  仓库库存编号：IXFV20N80P-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 16A（DC） D2PAK
  
  型号：VS-HFA16TB120SPBF
  仓库库存编号：VS-HFA16TB120SPBF-ND
  
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  MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 22A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR36P15P
  仓库库存编号：IXTR36P15P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 880W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH150N17T2
  仓库库存编号：IXFH150N17T2-ND
  
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