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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
  
  型号：GPA030A120MN-FD
  仓库库存编号：1560-1220-5-ND
  别名：1560-1220-1
  1560-1220-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1000V 60A 463W TO264
  详细描述：IGBT NPT and Trench Through Hole TO-264
  
  型号：GPA042A100L-ND
  仓库库存编号：1560-1225-5-ND
  别名：1560-1225-1
  1560-1225-1-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE INPUT 20A TO-220FP
  详细描述：标准 通孔 二极管 20A TO-220FP
  
  型号：VS-20ETS12FP-M3
  仓库库存编号：VS-20ETS12FP-M3-ND
  别名：VS20ETS12FPM3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• STMicroelectronics
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220F
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 15A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  
  型号：STPS30150CFP
  仓库库存编号：497-12646-5-ND
  别名：497-12646-5
  STPS30150CFP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP130N10T2
  仓库库存编号：IXFP130N10T2-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 8A Surface Mount TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  
  型号：VS-HFA16TA60CSPBF
  仓库库存编号：VS-HFA16TA60CSPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP
  
  型号：ALD114804PCL
  仓库库存编号：1014-1055-ND
  别名：1014-1055
  
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• Advanced Linear Devices Inc.
  MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：ALD114804SCL
  仓库库存编号：1014-1056-ND
  别名：1014-1056
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA16N50P
  仓库库存编号：IXTA16N50P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA14N60P
  仓库库存编号：IXTA14N60P-ND
  
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• IXYS
  IGBT 600V 70A 190W TO220
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP30N60B2
  仓库库存编号：IXGP30N60B2-ND
  
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• IXYS
  IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
  详细描述：IGBT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP2N100A
  仓库库存编号：IXGP2N100A-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 280W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA20N50_F109
  仓库库存编号：FDA20N50_F109-ND
  别名：FDA20N50
  FDA20N50-ND
  
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• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 1KV 25A TO263
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 1000V (1kV) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  
  型号：QK025NH6TP
  仓库库存编号：QK025NH6TP-ND
  
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 15A TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTG15N120FL2WG
  仓库库存编号：NGTG15N120FL2WG-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJH60D2DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJH60D2DPP-M0#T2-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0603DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0603DPN-E0#T2-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001422558
  
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• ON Semiconductor
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220ML
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 70A Surface Mount SC-94
  
  型号：SBT700-06RH-1E
  仓库库存编号：SBT700-06RH-1E-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP06N120P
  仓库库存编号：IXTP06N120P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N055P
  仓库库存编号：IXTP110N055P-ND
  
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  MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1N120P
  仓库库存编号：IXTP1N120P-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP42N25P
  仓库库存编号：IXTP42N25P-ND
  
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  MOSFET N-CH 150V 62A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 350W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP62N15P
  仓库库存编号：IXTP62N15P-ND
  
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• IXYS
  IGBT 300V 223W TO220AB
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP42N30C3
  仓库库存编号：IXGP42N30C3-ND
  
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