产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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分立半导体产品
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
APT2X101D60J
仓库库存编号：
APT2X101D60J-ND
别名：APT2X101D60JMI
APT2X101D60JMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 1.2KV 45A ISOTOP
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 45A Chassis Mount ISOTOP
型号：
STTH9012TV1
仓库库存编号：
497-12806-5-ND
别名：497-12806-5
STTH9012TV1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 112A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN132N50P3
仓库库存编号：
IXFN132N50P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 190A 568W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FB190SA10
仓库库存编号：
VS-FB190SA10-ND
别名：FB190SA10
FB190SA10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
IGBT 3000V 30A 160W TO268
详细描述：IGBT 3000V 30A 160W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT12N300
仓库库存编号：
IXBT12N300-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK26N120P
仓库库存编号：
IXFK26N120P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN60N80P
仓库库存编号：
IXFN60N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
详细描述：RF Mosfet LDMOS 12.5V 200mA 500MHz 16.9dB 35W PowerSO-10RF (Formed Lead)
型号：
PD55035-E
仓库库存编号：
497-6717-5-ND
别名：497-6717-5
PD55035-E-ND
PD55035E
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 797W（Tc） TO-3P（L）
型号：
TK100L60W,VQ
仓库库存编号：
TK100L60WVQ-ND
别名：TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE53NC50
仓库库存编号：
497-2776-5-ND
别名：497-2776-5
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 250W（Tc） TO-268
型号：
IXTT1N250HV
仓库库存编号：
IXTT1N250HV-ND
别名：628949
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 310A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN360N15T2
仓库库存编号：
IXFN360N15T2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 340A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN340N07
仓库库存编号：
IXFN340N07-ND
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STMicroelectronics
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 50mA 945MHz 14dB 30W 10-PowerSO
型号：
PD57030-E
仓库库存编号：
497-5307-5-ND
别名：497-5307-5
PD57030E
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 36A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN36N100
仓库库存编号：
IXFN36N100-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 52A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
型号：
APL502J
仓库库存编号：
APL502J-ND
别名：APL502JMI
APL502JMI-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
详细描述：RF Mosfet N-Channel 50V 500mA 175MHz 16dB 300W M208
型号：
VRF151G
仓库库存编号：
VRF151G-ND
别名：VRF151GMP
VRF151GMP-ND
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 1.3A 860MHz 21dB 250W SOT539A
型号：
BLF888B,112
仓库库存编号：
568-12830-ND
别名：568-12830
934065121112
BLF888B,112-ND
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STMicroelectronics
TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1.5A 1.25W Through Hole SOT-32
型号：
BD140-16
仓库库存编号：
497-14760-5-ND
别名：497-14760-5
BD140-16-ND
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE BRIDGE 0.9A 125V 6DIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 125V 900mA Through Hole DFM
型号：
B80C800DM-E3/45
仓库库存编号：
B80C800DM-E3/45GI-ND
别名：B80C800DM-E3/45-ND
B80C800DM-E3/45GI
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ON Semiconductor
TRANS NPN 100V 3A IPAK
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-Pak
型号：
MJD31C1G
仓库库存编号：
MJD31C1GOS-ND
别名：MJD31C1G-ND
MJD31C1GOS
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 600V 1A DFS
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DFS
型号：
DF06S-G
仓库库存编号：
641-1346-5-ND
别名：641-1346-5
DF06SG
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 400V 1.5A TO126
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 4MHz 20W Through Hole TO-126-3
型号：
FJE3303H1TU
仓库库存编号：
FJE3303H1TU-ND
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole 4-DF
型号：
DF10-G
仓库库存编号：
641-1340-5-ND
别名：641-1340-5
DF10G
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 60V 1.5A TO-126
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1.5A 1.25W Through Hole TO-126-3
型号：
BD13816STU
仓库库存编号：
BD13816STU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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