产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 540W(Tc) TO-247
型号:
IXTH34N65X2
仓库库存编号:
IXTH34N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW27NM60ND
仓库库存编号:
497-10086-5-ND
别名:497-10086-5
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 650V 35A TO220-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 35A(DC) TO-220-2
型号:
C3D12065A
仓库库存编号:
C3D12065A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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STMicroelectronics
IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247
型号:
STGW15H120F2
仓库库存编号:
497-14713-5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 80A TO247A
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 340.9W Through Hole TO-247A
型号:
RJH65T46DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH65T46DPQ-A0#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 208W TO247
详细描述:IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
型号:
HGTG30N60B3D
仓库库存编号:
HGTG30N60B3D-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 90A TO247A
详细描述:IGBT Trench 650V 90A 375W Through Hole TO-247A
型号:
RJH65T47DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH65T47DPQ-A0#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 190W(Tc) I2PAK
型号:
STI42N65M5
仓库库存编号:
497-8899-5-ND
别名:497-8899-5
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 160W(Tc) I2PAK
型号:
STB25NM50N-1
仓库库存编号:
497-5729-ND
别名:497-5729
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 390W(Tc) TO-220AB(IXFP)
型号:
IXFP80N25X3
仓库库存编号:
IXFP80N25X3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 417W(Tc) TO-247-3
型号:
STW45NM50
仓库库存编号:
497-2760-5-ND
别名:497-2760-5
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 390W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA80N25X3
仓库库存编号:
IXFA80N25X3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 150A 455W TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 150A 455W Through Hole TO-247 Long Leads
型号:
FGH75T65SHD_F155
仓库库存编号:
FGH75T65SHD_F155-ND
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Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO-220-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 12A(DC) TO-220AC
型号:
SCS212AGHRC
仓库库存编号:
SCS212AGHRC-ND
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Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
详细描述:IGBT Trench 650V 100A 375W Through Hole TO-247A
型号:
RJH65D27BDPQ-A0#T2
仓库库存编号:
RJH65D27BDPQ-A0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-
详细描述:表面贴装 N 沟道 440A(Tc) 940W(Tc) TO-268
型号:
IXTT440N04T4HV
仓库库存编号:
IXTT440N04T4HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 780W(Tc)
型号:
IXFH60N65X2
仓库库存编号:
IXFH60N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 428W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 428W Through Hole TO-247-3
型号:
IKW75N60TA
仓库库存编号:
IKW75N60TA-ND
别名:IKW75N60TAFKSA1
SP000647368
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 417W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG44N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHG44N65EF-GE3-ND
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 134W(Tc) TO-247N
型号:
SCT3080ALGC11
仓库库存编号:
SCT3080ALGC11-ND
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STMicroelectronics
DIODE ARRAY SCHOTTKY 1.2KV TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 25A Through Hole TO-247-3
型号:
STPSC20H12CWL
仓库库存编号:
497-17246-ND
别名:497-17246
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IXYS
MOSFET NCH 850V 40A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 860W(Tc) TO-247
型号:
IXFH40N85X
仓库库存编号:
IXFH40N85X-ND
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Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 10A(DC) TO-220AC
型号:
SCS210KGHRC
仓库库存编号:
SCS210KGHRC-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG80N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG80N60E-GE3-ND
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IXYS
IGBT 1.7KV 40A TO247
详细描述:IGBT 1700V 40A 310W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH16N170CV1
仓库库存编号:
IXYH16N170CV1-ND
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