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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 108A COPAK247
  详细描述：IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG7PH46UD-EP
  仓库库存编号：IRG7PH46UD-EP-ND
  别名：SP001540700
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 40A TO247-3L
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 468W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGWA40S120DF3
  仓库库存编号：497-15630-5-ND
  别名：497-15630-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 117A 694W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-247
  
  型号：APT50GR120B2
  仓库库存编号：APT50GR120B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 540W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXGX72N60A3H1
  仓库库存编号：IXGX72N60A3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 117A 500W TO-247
  详细描述：IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
  
  型号：APT64GA90B2D30
  仓库库存编号：APT64GA90B2D30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247
  详细描述：IGBT PT 650V 150A 455W Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：IXXR110N65B4H1
  仓库库存编号：IXXR110N65B4H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AC
  详细描述：标准 通孔 二极管 60A TO-247AC
  
  型号：VS-60APF10-M3
  仓库库存编号：VS-60APF10-M3GI-ND
  别名：VS-60APF10-M3GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ40N50L2
  仓库库存编号：IXTQ40N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC
  详细描述：标准 通孔 二极管 60A TO-247AC 改进型
  
  型号：VS-60EPF06-M3
  仓库库存编号：VS-60EPF06-M3GI-ND
  别名：VS-60EPF06-M3GI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT56F50B2
  仓库库存编号：APT56F50B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 624W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT34F60B
  仓库库存编号：APT34F60B-ND
  别名：APT34F60BMI
  APT34F60BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 481W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT77N60BC6
  仓库库存编号：APT77N60BC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5014BLLG
  仓库库存编号：APT5014BLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT75M50L
  仓库库存编号：APT75M50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 150A 625W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
  
  型号：APT50GP60B2DQ2G
  仓库库存编号：APT50GP60B2DQ2G-ND
  别名：APT50GP60B2DQ2GMI
  APT50GP60B2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 53A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR90P20P
  仓库库存编号：IXTR90P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 600V 30A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：APT2X30DQ60J
  仓库库存编号：APT2X30DQ60J-ND
  别名：APT2X30DQ60JMI
  APT2X30DQ60JMI-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） TO-264
  
  型号：APT84M50L
  仓库库存编号：APT84M50L-ND
  别名：APT84M50LMI
  APT84M50LMI-ND
  
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• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 600V 30A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：APT2X31DQ60J
  仓库库存编号：APT2X31DQ60J-ND
  别名：APT2X31DQ60JMI
  APT2X31DQ60JMI-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT84M50B2
  仓库库存编号：APT84M50B2-ND
  别名：APT84M50B2MI
  APT84M50B2MI-ND
  
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  IGBT 600V 220A 536W SOT227
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
  
  型号：APT150GN60B2G
  仓库库存编号：APT150GN60B2G-ND
  
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  IGBT 1200V 88A 500W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：APT40GR120B2SCD10
  仓库库存编号：APT40GR120B2SCD10-ND
  
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  DIODE MODULE 200V 30A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：APT2X31D20J
  仓库库存编号：APT2X31D20J-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT28M120L
  仓库库存编号：APT28M120L-ND
  
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  MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH1N200P3HV
  仓库库存编号：IXTH1N200P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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