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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 143A 625W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT80GA60B
  仓库库存编号：APT80GA60B-ND
  别名：APT80GA60BMI
  APT80GA60BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX120N30T
  仓库库存编号：IXFX120N30T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 1200V 21A 105W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 21A 105W Through Hole ISO247?
  
  型号：IXYJ20N120C3D1
  仓库库存编号：IXYJ20N120C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 1200V 64A 480W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 64A 480W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH40N120C3D1
  仓库库存编号：IXYH40N120C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH67N10
  仓库库存编号：IXTH67N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Infineon Technologies
  DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 31A Through Hole TO-247-3
  
  型号：IDW20G120C5BFKSA1
  仓库库存编号：IDW20G120C5BFKSA1-ND
  别名：SP001020716
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：TK62N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK62N60WS1VF-ND
  别名：TK62N60W,S1VF(S
  TK62N60WS1VF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Cree/Wolfspeed
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 10A（DC） TO-220-2
  
  型号：C4D15120A
  仓库库存编号：C4D15120A-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 170A 962W TO264
  详细描述：IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole TO-264
  
  型号：APT85GR120L
  仓库库存编号：APT85GR120L-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 170A 962W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX?
  
  型号：APT85GR120B2
  仓库库存编号：APT85GR120B2-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V 26A, 17A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMP26-02P
  仓库库存编号：FMP26-02P-ND
  别名：FMP2602P
  
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  MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXKR25N80C
  仓库库存编号：IXKR25N80C-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  详细描述：IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
  
  型号：APT33GF120B2RDQ2G
  仓库库存编号：APT33GF120B2RDQ2G-ND
  别名：APT33GF120B2RDQ2GMI
  APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
  
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  DIODE MODULE 200V 71A SOT227B
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 71A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：DSEI2X61-02A
  仓库库存编号：DSEI2X61-02A-ND
  别名：DSEI2X6102A
  
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  MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB110N60P3
  仓库库存编号：IXFB110N60P3-ND
  
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• Analog Devices Inc.
  TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 45V 25mA 450MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT01GH
  仓库库存编号：MAT01GH-ND
  
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• Microsemi Corporation
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK
  详细描述：碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 68A（DC） D3Pak
  
  型号：APT20SCD120S
  仓库库存编号：APT20SCD120S-ND
  
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  MODULE AC CTLR 1200V SOT-227B
  详细描述：SCR Module 1200V 53A 1-Phase Controller - All SCRs Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：MMO74-12IO6
  仓库库存编号：MMO74-12IO6-ND
  别名：MMO7412IO6
  
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  IGBT 600V 200A 695W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 200A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK100N60B3H1
  仓库库存编号：IXXK100N60B3H1-ND
  
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  MOD THYRISTOR SGL 1200V SOT-227B
  详细描述：SCR Module 1200V 156A Single Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：MCO100-12IO1
  仓库库存编号：MCO100-12IO1-ND
  别名：MCO10012IO1
  
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  MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 115A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN140N20P
  仓库库存编号：IXFN140N20P-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK24N100Q3
  仓库库存编号：IXFK24N100Q3-ND
  
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  DIODE MODULE 300V 90A SOT227B
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 90A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：DSEP2X91-03A
  仓库库存编号：DSEP2X91-03A-ND
  别名：DSEP2X9103A
  
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  MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB44N100Q3
  仓库库存编号：IXFB44N100Q3-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB70N60Q2
  仓库库存编号：IXFB70N60Q2-ND
  
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