产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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分立半导体产品
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M/A-Com Technology Solutions
FET RF 160V 6GHZ 14DFN
详细描述：RF Mosfet HEMT 48V 150mA 0Hz ~ 6GHz 16dB 25W 14-DFN (3x6)
型号：
NPT2019
仓库库存编号：
1465-1422-ND
别名：1465-1422
NPT2019-000PPR
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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STMicroelectronics
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 250mA 945MHz 14.7dB 70W PowerSO-10RF (Formed Lead)
型号：
PD57070-E
仓库库存编号：
497-6721-5-ND
别名：497-6721-5
PD57070-E-ND
PD57070E
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Global Power Technologies Group
DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
GHXS030A120S-D4
仓库库存编号：
1560-1008-5-ND
别名：1560-1008
1560-1008-ND
GHXS030A120SD4
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXTF1R4N450
仓库库存编号：
IXTF1R4N450-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
不受无铅要求限制
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Microsemi Corporation
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
型号：
SG2013J-883B
仓库库存编号：
1259-1108-ND
别名：1259-1108
1259-1108-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APL1001J
仓库库存编号：
APL1001J-ND
别名：APL1001JMI
APL1001JMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130B
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.02GHz 14.5dB 8W CDFM4
型号：
BLD6G21LS-50,112
仓库库存编号：
568-8664-5-ND
别名：568-8664-5
934063509112
BLD6G21LS-50,112-ND
BLD6G21LS50112
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 40V 1.4A 860MHz 21dB 300W CDFM2
型号：
BLF878,112
仓库库存编号：
568-4738-5-ND
别名：568-4738
568-4738-5
568-4738-ND
934061788112
BLF878
BLF878,112-ND
BLF878-ND
BLF878112
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 75V 300MA AXIAL
详细描述：Diode Array 7 Independent Standard 300mA (DC) Through Hole 14-CDIP (0.300", 7.62mm)
型号：
JANTX1N6511
仓库库存编号：
1088-1003-ND
别名：1088-1003
1088-1003-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
含铅
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Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 200mA 1.03GHz 15.5dB 1000W SOT539B
型号：
BLA6H0912LS-1000U
仓库库存编号：
1603-1010-ND
别名：1603-1010
934067404112
BLA6H0912LS-1000U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R600C6BKMA1
仓库库存编号：
IPU60R600C6BKMA1-ND
别名：SP000931534
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU039N03LGXK
仓库库存编号：
IPU039N03LGXK-ND
别名：IPU039N03L G
IPU039N03LGIN
IPU039N03LGIN-ND
SP000256162
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号：
IPP80N06S2L-07-ND
别名：IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU135N08N3 G
仓库库存编号：
IPU135N08N3 G-ND
别名：IPU135N08N3G
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP16CN10NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP16CN10NGXKSA1-ND
别名：IPP16CN10N G
IPP16CN10N G-ND
IPP16CN10NG
IPP16CN10NGIN
IPP16CN10NGIN-ND
IPP16CN10NGX
IPP16CN10NGXK
SP000680880
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220FP
型号：
IPA50R520CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA50R520CPXKSA1-ND
别名：IPA50R520CP
IPA50R520CP-ND
SP000236076
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 75W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
BUZ32 H
仓库库存编号：
BUZ32 H-ND
别名：BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Through Hole TO-220-3
型号：
IDP30C65D2XKSA1
仓库库存编号：
IDP30C65D2XKSA1-ND
别名：SP001170098
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
详细描述：IGBT 650V 18A 70W Through Hole TO-220-3
型号：
IKP08N65F5XKSA1
仓库库存编号：
IKP08N65F5XKSA1-ND
别名：SP000973408
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名：SP001067894
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA50R399CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA50R399CPXKSA1-ND
别名：IPA50R399CP
IPA50R399CP-ND
SP000234987
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP50R399CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R399CPXKSA1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50R399CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI50R399CPXKSA1-ND
别名：SP000680738
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP-3
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R330P6XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R330P6XKSA1-ND
别名：SP001017074
产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE 650V 20A RAPID2 TO247-3
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 10A Through Hole TO-247-3
型号：
IDW20C65D2XKSA1
仓库库存编号：
IDW20C65D2XKSA1-ND
别名：SP001174446
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