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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT110N10L2
  仓库库存编号：IXTT110N10L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 60A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT60N20L2
  仓库库存编号：IXTT60N20L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 240A 750W SUPER247
  详细描述：IGBT 600V 240A 750W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRGPS46160DPBF
  仓库库存编号：IRGPS46160DPBF-ND
  别名：SP001545270
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SIC 1200V 50A TO24
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 50A (DC) Through Hole TO-247-3
  
  型号：GP2D030A120U
  仓库库存编号：1560-1233-5-ND
  别名：1560-1233-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR15N100Q3
  仓库库存编号：IXFR15N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 150A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK150N30P3
  仓库库存编号：IXFK150N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 134W（Tc） TO-247
  
  型号：CMF10120D
  仓库库存编号：CMF10120D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Global Power Technologies Group
  DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 10A TO-247-2
  
  型号：GP2D010A170B
  仓库库存编号：1560-1046-5-ND
  别名：1560-1046-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Central Semiconductor Corp
  DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
  详细描述：碳化硅肖特基 通孔 二极管 10A TO-220-2
  
  型号：CSIC10-1200 SL
  仓库库存编号：CSIC10-1200 SL-ND
  别名：CSIC10-1200 SL LEAD FREE
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50Q3
  仓库库存编号：IXFR44N50Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 104W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH04N300P3HV
  仓库库存编号：IXTH04N300P3HV-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH02N450HV
  仓库库存编号：IXTH02N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 1200V 188A 1150W TO264
  详细描述：IGBT 1200V 188A 1150W Through Hole TO-264 (IXYK)
  
  型号：IXYK100N120C3
  仓库库存编号：IXYK100N120C3-ND
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 560W（Tc） MAX247?
  
  型号：STY60NM50
  仓库库存编号：497-2775-5-ND
  别名：497-2775-5
  
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• STMicroelectronics
  DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 100A Chassis Mount ISOTOP
  
  型号：STTH200W04TV1
  仓库库存编号：497-13280-5-ND
  别名：497-13280-5
  
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• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 200V 60A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：APT2X61D20J
  仓库库存编号：APT2X61D20J-ND
  
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• Microsemi Corporation
  DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP
  详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
  
  型号：APT2X60D40J
  仓库库存编号：APT2X60D40J-ND
  
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  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA4N150HV
  仓库库存编号：IXTA4N150HV-ND
  
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• IXYS
  500V POLAR2 HIPERFETS
  详细描述：底座安装 N 沟道 68A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN94N50P2
  仓库库存编号：IXFN94N50P2-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB120N50P2
  仓库库存编号：IXFB120N50P2-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX48N60Q3
  仓库库存编号：IXFX48N60Q3-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX24N100Q3
  仓库库存编号：IXFX24N100Q3-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N50Q3
  仓库库存编号：IXFX64N50Q3-ND
  
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  MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
  详细描述：表面贴装 N 沟道 210A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB210N30P3
  仓库库存编号：IXFB210N30P3-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N50Q3
  仓库库存编号：IXFK64N50Q3-ND
  
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