产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 960W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N50P3
仓库库存编号:
IXFT50N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Sanken
MOSFET 6N-CH 500V 5A 12-SIP
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 5A 4W Through Hole 12-SIP
型号:
SMA5118
仓库库存编号:
SMA5118-ND
别名:SMA5118 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 690W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50Q3
仓库库存编号:
IXFH30N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 227.2W(Tc) TO-3PSG
型号:
RJK60S7DPK-M0#T0
仓库库存编号:
RJK60S7DPK-M0#T0-ND
别名:RJK60S7DPKM0T0
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS NPN 175V 1A TO-66
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 175V 1A 10MHz 35W Through Hole TO-66
型号:
2N3583
仓库库存编号:
2N3583-ND
别名:2N3583 LEAD FREE
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 94A(Tc) 1040W(Tc) TO-268
型号:
IXFT94N30P3
仓库库存编号:
IXFT94N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 34.7W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK60S7DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
别名:RJK60S7DPPE0T2
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 690W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N50Q3
仓库库存编号:
IXFT30N50Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 70A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 690W(Tc) TO-268
型号:
IXFT70N20Q3
仓库库存编号:
IXFT70N20Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 690W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N30Q3
仓库库存编号:
IXFT50N30Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 12A(DC) TO-220-2L
型号:
TRS12E65C,S1Q
仓库库存编号:
TRS12E65CS1Q-ND
别名:TRS12E65C,S1Q(S
TRS12E65CS1Q
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N10Q
仓库库存编号:
IXFH80N10Q-ND
别名:IXFH80N10
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 240A 882W TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 240A 882W Through Hole PowerTO-247-3
型号:
FGY120T65SPD_F085
仓库库存编号:
FGY120T65SPD_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT75N10L2
仓库库存编号:
IXTT75N10L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1130W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N30P3
仓库库存编号:
IXFX120N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 830W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N50P
仓库库存编号:
IXFX64N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1130W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK120N30P3
仓库库存编号:
IXFK120N30P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 780W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT43M60B2
仓库库存编号:
APT43M60B2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ60N20L2
仓库库存编号:
IXTQ60N20L2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 690W(Tc) TO-268
型号:
IXFT15N100Q3
仓库库存编号:
IXFT15N100Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 780W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT43F60B2
仓库库存编号:
APT43F60B2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N20L2
仓库库存编号:
IXTH60N20L2-ND
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 450W(Tc) MAX247?
型号:
STY140NS10
仓库库存编号:
497-3267-5-ND
别名:497-3267-5
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Fairchild/ON Semiconductor
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 240A 882W Through Hole TO-247
型号:
FGY160T65SPD_F085
仓库库存编号:
FGY160T65SPD_F085-ND
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STMicroelectronics
FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
详细描述:RF Mosfet LDMOS 12.5V 150mA 500MHz 17dB 8W PowerSO-10RF (Straight Lead)
型号:
PD55008S-E
仓库库存编号:
497-5300-5-ND
别名:497-5300-5
PD55008SE
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