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• IXYS
  IGBT 650V 60A 270W TO247
  详细描述：IGBT PT 650V 60A 270W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH30N65C3H1
  仓库库存编号：IXYH30N65C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Sanken
  MOSFET 3N/3P-CH 500V 2.5A 12-SIP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 500V 2.5A Through Hole 12-SIP
  
  型号：SMA5133
  仓库库存编号：SMA5133-ND
  别名：SMA5133 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH26N60P
  仓库库存编号：IXFH26N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK35A65W,S5X
  仓库库存编号：TK35A65WS5X-ND
  别名：TK35A65W,S5X(M
  TK35A65W,S5X-ND
  TK35A65WS5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 110A 446W TO247
  详细描述：IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT50GT60BRG
  仓库库存编号：APT50GT60BRG-ND
  别名：APT50GT60BRGMI
  APT50GT60BRGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-247-3
  
  型号：APT30D100BCTG
  仓库库存编号：APT30D100BCTG-ND
  别名：APT30D100BCTGMI
  APT30D100BCTGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Central Semiconductor Corp
  TRANS 4PNP 60V 0.05A
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 50mA 60MHz 500mW Through Hole TO-116
  
  型号：MPQ3799
  仓库库存编号：MPQ3799-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 63W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP20N65XM
  仓库库存编号：IXTP20N65XM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 20A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA20N65X
  仓库库存编号：IXTA20N65X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 650V 134A 595W TO-247
  详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247
  
  型号：APT70GR65B
  仓库库存编号：APT70GR65B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 320W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH20N65X
  仓库库存编号：IXTH20N65X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 43A 174W TO247
  详细描述：IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT20GT60BRDQ1G
  仓库库存编号：APT20GT60BRDQ1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 78A 337W TO-247
  详细描述：IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT43GA90B
  仓库库存编号：APT43GA90B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 600W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT140N10P
  仓库库存编号：IXTT140N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 63A 290W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT35GA90BD15
  仓库库存编号：APT35GA90BD15-ND
  别名：APT35GA90BD15MI
  APT35GA90BD15MI-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 54A 250W SOT227
  详细描述：IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT30GS60BRDQ2G
  仓库库存编号：APT30GS60BRDQ2G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 520W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT37F50B
  仓库库存编号：APT37F50B-ND
  别名：APT37F50BMI
  APT37F50BMI-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 65A 290W TO-247
  详细描述：IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT36GA60BD15
  仓库库存编号：APT36GA60BD15-ND
  
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V D618SL
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40A Surface Mount D-61-8-SL
  
  型号：VS-82CNQ030ASLPBF
  仓库库存编号：VS-82CNQ030ASLPBFGI-ND
  别名：VS-82CNQ030ASLPBFGI
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT18M80B
  仓库库存编号：APT18M80B-ND
  
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  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60WS1VQ-ND
  别名：TK31J60W,S1VQ(O
  TK31J60WS1VQ
  
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  MOSFET 6N-CH 500V 5A 15-SIP
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 5A 5W Through Hole 15-SIP
  
  型号：SLA5075
  仓库库存编号：SLA5075-ND
  别名：SLA5075 DK
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 78A 337W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT43GA90BD30
  仓库库存编号：APT43GA90BD30-ND
  别名：APT43GA90BD30MI
  APT43GA90BD30MI-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 53A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 417W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT53N60BC6
  仓库库存编号：APT53N60BC6-ND
  
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 140A 454W TO247AC
  详细描述：IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4066DPBF
  仓库库存编号：IRGP4066DPBF-ND
  别名：SP001545048
  
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