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• IXYS
  IGBT 650V 240A 880W TO264
  详细描述：IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK110N65B4H1
  仓库库存编号：IXXK110N65B4H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 42A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT42F50B
  仓库库存编号：APT42F50B-ND
  别名：APT42F50BMP
  APT42F50BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT24N90P
  仓库库存编号：IXFT24N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264
  
  型号：APT56M50L
  仓库库存编号：APT56M50L-ND
  别名：APT56M50LMI
  APT56M50LMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 94A 379W TO264
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole
  
  型号：APT35GN120L2DQ2G
  仓库库存编号：APT35GN120L2DQ2G-ND
  别名：APT35GN120L2DQ2GMI
  APT35GN120L2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  IGBT 650V 170A 750W TO247
  详细描述：IGBT PT 650V 170A 750W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH75N65C3H1
  仓库库存编号：IXYH75N65C3H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 64A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N50P
  仓库库存编号：IXFK64N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  IGBT 1200V 100A 750W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 100A 750W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH50N120C3
  仓库库存编号：IXYH50N120C3-ND
  
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  MOSFET N-CH TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N90P
  仓库库存编号：IXFH24N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK120N25P
  仓库库存编号：IXTK120N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX80N60P3
  仓库库存编号：IXFX80N60P3-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 98A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK98N50P3
  仓库库存编号：IXFK98N50P3-ND
  
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  MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 1390W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX160N30T
  仓库库存编号：IXFX160N30T-ND
  
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  MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX102N65X2
  仓库库存编号：IXTX102N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK102N65X2
  仓库库存编号：IXTK102N65X2-ND
  
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  IGBT 650V 310A 940W TO264
  详细描述：IGBT PT 650V 310A 940W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK160N65B4
  仓库库存编号：IXXK160N65B4-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT47N60SC3G
  仓库库存编号：APT47N60SC3G-ND
  
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  MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH16N120P
  仓库库存编号：IXFH16N120P-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 94A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1300W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK94N50P2
  仓库库存编号：IXFK94N50P2-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 229A 625W TO264
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT100GN60LDQ4G
  仓库库存编号：APT100GN60LDQ4G-ND
  别名：APT100GN60LDQ4GMI
  APT100GN60LDQ4GMI-ND
  
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  IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
  详细描述：IGBT 2500V 5.5A 32W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT2N250
  仓库库存编号：IXGT2N250-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 61.8A（Ta） 400W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK62J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK62J60WS1VQ-ND
  别名：TK62J60W,S1VQ(O
  TK62J60WS1VQ
  
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  MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N60P
  仓库库存编号：IXFK64N60P-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1300W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX94N50P2
  仓库库存编号：IXFX94N50P2-ND
  
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  MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N100P
  仓库库存编号：IXFX32N100P-ND
  
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