产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 600V 13A TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 13A Through Hole TO-247-3
型号:
APT15DS60BG
仓库库存编号:
APT15DS60BG-ND
别名:APT15DS60BGMI
APT15DS60BGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ88N30P
仓库库存编号:
IXTQ88N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 379W TO247
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GN120BG
仓库库存编号:
APT35GN120BG-ND
别名:APT35GN120BGMI
APT35GN120BGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH76N07-12
仓库库存编号:
IXFH76N07-12-ND
别名:IXFH76N0712
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 540W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N90P
仓库库存编号:
IXFH18N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 600W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH88N30P
仓库库存编号:
IXTH88N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH76N07-11
仓库库存编号:
IXFH76N07-11-ND
别名:628431
IXFH76N0711
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A 320W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH42UD-EP
仓库库存编号:
IRG7PH42UD-EP-ND
别名:IRG7PH42UDEP
SP001533730
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 600V 60A TO264
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 60A Through Hole TO-264-3, TO-264AA
型号:
APT60D60LCTG
仓库库存编号:
APT60D60LCTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD
详细描述:IGBT 1200V 36A 230W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH20N120C3D1
仓库库存编号:
IXYH20N120C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK39N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK39N60WS1VF-ND
别名:TK39N60W,S1VF(S
TK39N60WS1VF
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 600V 100A 600W TO247AD
详细描述:IGBT PT 600V 100A 600W Through Hole TO-247 (IXXH)
型号:
IXXH50N60C3D1
仓库库存编号:
IXXH50N60C3D1-ND
别名:625659
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 135W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1204R7BFLLG
仓库库存编号:
APT1204R7BFLLG-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
详细描述:碳化硅肖特基 通孔 二极管 10A(DC) TO-220-2L
型号:
TRS10E65C,S1Q
仓库库存编号:
TRS10E65CS1Q-ND
别名:TRS10E65C,S1Q(S
TRS10E65C,S1Q-ND
TRS10E65CS1Q
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1130W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX64N60P3
仓库库存编号:
IXFX64N60P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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Microsemi Corporation
DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247
详细描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 20A Through Hole TO-247-2
型号:
APT30DS60BG
仓库库存编号:
APT30DS60BG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR16P60P
仓库库存编号:
IXTR16P60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 30A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR48P20P
仓库库存编号:
IXTR48P20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 1130W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK64N60P3
仓库库存编号:
IXFK64N60P3-ND
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A 320W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH42UDPBF
仓库库存编号:
IRG7PH42UDPBF-ND
别名:SP001537274
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IXYS
IGBT 650V 240A 880W PLUS247
详细描述:IGBT PT 650V 240A 880W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX110N65B4H1
仓库库存编号:
IXXX110N65B4H1-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH40N30
仓库库存编号:
IXTH40N30-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH30N50L2
仓库库存编号:
IXTH30N50L2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 64A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 890W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH64N65X
仓库库存编号:
IXTH64N65X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 管件 ,
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IXYS
IGBT 1700V 6A 75W TO268
详细描述:IGBT NPT 1700V 6A 75W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT6N170A
仓库库存编号:
IXGT6N170A-ND
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