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• IXYS
  DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 40A
  详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40A Through Hole ISOPLUS247?
  
  型号：DSSK80-006BR
  仓库库存编号：DSSK80-006BR-ND
  别名：DSSK80006BR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 42A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH42N60P3
  仓库库存编号：IXFH42N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ50N60P3
  仓库库存编号：IXFQ50N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W,S1F
  仓库库存编号：TK35N65WS1F-ND
  别名：TK35N65W,S1F(S
  TK35N65W,S1F-ND
  TK35N65WS1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH30N60P
  仓库库存编号：IXTH30N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 550V 33A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW36N55M5
  仓库库存编号：497-13285-5-ND
  别名：497-13285-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N50P
  仓库库存编号：IXFH36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  DIODE GEN 1.2KV 30A ISOPLUS247
  详细描述：标准 通孔 二极管 30A ISOPLUS247?
  
  型号：DSEP30-12CR
  仓库库存编号：DSEP30-12CR-ND
  别名：DSEP3012CR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT82N25P
  仓库库存编号：IXTT82N25P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC
  详细描述：标准 通孔 二极管 60A TO-247AC
  
  型号：VS-60APU06PBF
  仓库库存编号：VS-60APU06PBF-ND
  别名：60APU06PBF
  60APU06PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT38N60BC6
  仓库库存编号：APT38N60BC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 42A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT42N50P2
  仓库库存编号：IXFT42N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  IGBT 1200V 75A 300W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH32N120A3
  仓库库存编号：IXGH32N120A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 28A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FUO22-16N
  仓库库存编号：FUO22-16N-ND
  别名：FUO2216N
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH15N50L2
  仓库库存编号：IXTH15N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  IGBT 650V 116A 380W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 650V 116A 380W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH60N65B4H1
  仓库库存编号：IXXH60N65B4H1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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  MOSFET N-CH 500V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH52N50P2
  仓库库存编号：IXFH52N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：TK31N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK31N60WS1VF-ND
  别名：TK31N60W,S1VF(S
  TK31N60WS1VF
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak
  
  型号：APT25GN120SG
  仓库库存编号：APT25GN120SG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 80A 535W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB40N120FL2WG
  仓库库存编号：NGTB40N120FL2WGOS-ND
  别名：NGTB40N120FL2WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH21N50
  仓库库存编号：IXFH21N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH24N80P
  仓库库存编号：IXFH24N80P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH21N50
  仓库库存编号：IXTH21N50-ND
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 54A 347W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GT120BRDQ2G
  仓库库存编号：APT25GT120BRDQ2G-ND
  别名：APT25GT120BRDQ2GMI
  APT25GT120BRDQ2GMI-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT52N50P2
  仓库库存编号：IXFT52N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：包装 管件 ,
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