产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB113ZS,126
仓库库存编号:
PDTB113ZS,126-ND
别名:934059146126
PDTB113ZS AMO
PDTB113ZS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123ES,126
仓库库存编号:
PDTB123ES,126-ND
别名:934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123TS,126
仓库库存编号:
PDTB123TS,126-ND
别名:934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTB123YS,126
仓库库存编号:
PDTB123YS,126-ND
别名:934059148126
PDTB123YS AMO
PDTB123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC114ES,126
仓库库存编号:
PDTC114ES,126-ND
别名:934047440126
PDTC114ES AMO
PDTC114ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC114TS,126
仓库库存编号:
PDTC114TS,126-ND
别名:934047400126
PDTC114TS AMO
PDTC114TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC124ES,126
仓库库存编号:
PDTC124ES,126-ND
别名:934047430126
PDTC124ES AMO
PDTC124ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC143ES,126
仓库库存编号:
PDTC143ES,126-ND
别名:934047420126
PDTC143ES AMO
PDTC143ES AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC144ES,126
仓库库存编号:
PDTC144ES,126-ND
别名:934047410126
PDTC144ES AMO
PDTC144ES AMO-ND
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无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD113ES,126
仓库库存编号:
PDTD113ES,126-ND
别名:934059141126
PDTD113ES AMO
PDTD113ES AMO-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD113ZS,126
仓库库存编号:
PDTD113ZS,126-ND
别名:934059145126
PDTD113ZS AMO
PDTD113ZS AMO-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123ES,126
仓库库存编号:
PDTD123ES,126-ND
别名:934059143126
PDTD123ES AMO
PDTD123ES AMO-ND
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123TS,126
仓库库存编号:
PDTD123TS,126-ND
别名:934059726126
PDTD123TS AMO
PDTD123TS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTD123YS,126
仓库库存编号:
PDTD123YS,126-ND
别名:934059147126
PDTD123YS AMO
PDTD123YS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 15V 0.2A SOT54
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 500MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PH2369,126
仓库库存编号:
PH2369,126-ND
别名:933450090126
PH2369 AMO
PH2369 AMO-ND
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 50V 3A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS4350S,126
仓库库存编号:
PBSS4350S,126-ND
别名:934056901126
PBSS4350S AMO
PBSS4350S AMO-ND
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TRANS PNP 50V 3A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 3A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS5350S,126
仓库库存编号:
PBSS5350S,126-ND
别名:934056902126
PBSS5350S AMO
PBSS5350S AMO-ND
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 100V 1A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS8110AS,126
仓库库存编号:
PBSS8110AS,126-ND
别名:934057764126
PBSS8110AS AMO
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TRANS NPN 100V 1A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS8110S,126
仓库库存编号:
PBSS8110S,126-ND
别名:934057671126
PBSS8110S AMO
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TRANS PNP 100V 1A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS9110AS,126
仓库库存编号:
PBSS9110AS,126-ND
别名:934057765126
PBSS9110AS AMO
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TRANS PNP 100V 1A TO92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 100MHz 830mW Through Hole TO-92-3
型号:
PBSS9110S,126
仓库库存编号:
PBSS9110S,126-ND
别名:934057673126
PBSS9110S AMO
PBSS9110S AMO-ND
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TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PDTC144WS,126
仓库库存编号:
PDTC144WS,126-ND
别名:934057558126
PDTC144WS AMO
PDTC144WS AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 65V 0.1A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 65V 100mA 100MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
BC546B,126
仓库库存编号:
BC546B,126-ND
别名:933237780126
BC546B AMO
BC546B AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
TRANS NPN 15V 0.2A TO-92
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 500MHz 500mW Through Hole TO-92-3
型号:
PN2369A,126
仓库库存编号:
PN2369A,126-ND
别名:933856860126
PN2369A AMO
PN2369A AMO-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 300mA(Tc) 830mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000,126
仓库库存编号:
2N7000,126-ND
别名:2N7000 AMO
2N7000 AMO-ND
934003460126
产品分类:分立半导体产品,规格:包装 带盒(TB) ,
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